[實用新型]一種濕法刻蝕設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420208570.5
• 申請日: 2014-04-25
• 公開（公告）號: CN203787389U
• 公開（公告）日: 2014-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 左岳平
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/306;H01L21/465
• 代理公司: 北京中博世達專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種濕法刻蝕設(shè)備，用于對基板進行刻蝕；所述濕法刻蝕設(shè)備包括刻蝕槽、設(shè)置在所述刻蝕槽內(nèi)的多個傳動輪和多個刻蝕液腔體、以及設(shè)置在每個所述刻蝕液腔體上的多個噴嘴；其特征在于，

所述濕法刻蝕設(shè)備還包括檢測裝置、反饋裝置和控制裝置；

其中，所述檢測裝置用于檢測所述基板或者刻蝕液的變化參數(shù)，并將所述變化參數(shù)的數(shù)據(jù)信息發(fā)送給所述反饋裝置；

所述反饋裝置用于計算處理所述數(shù)據(jù)信息，并將處理后的信息反饋給所述控制裝置；

所述控制裝置用于根據(jù)反饋信息控制所述刻蝕液的噴淋量或者所述基板的運動速度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述檢測裝置為光學(xué)檢測裝置，且所述光學(xué)檢測裝置與所述噴嘴一一對應(yīng)；

其中，所述光學(xué)檢測裝置用于檢測所述基板的光透過率和/或光反射率，并將所述光學(xué)數(shù)據(jù)信息發(fā)送給所述反饋裝置；

所述反饋裝置用于計算處理所述光學(xué)數(shù)據(jù)信息，并將處理后的信息反饋給所述控制裝置；

所述控制裝置用于根據(jù)反饋信息控制所述刻蝕液的噴淋量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述光學(xué)檢測裝置包括光源和光學(xué)檢測元件；

所述光源包括頂光源和底光源；

其中，所述光學(xué)檢測元件設(shè)置在所述噴嘴的上方；

所述頂光源設(shè)置在所述光學(xué)檢測元件的內(nèi)部，所述底光源設(shè)置在所述噴嘴的下方。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述頂光源發(fā)射的光和所述底光源發(fā)射的光具有不同的波長。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述噴嘴包括壓力調(diào)節(jié)閥；

其中，所述控制裝置根據(jù)反饋信息控制所述壓力調(diào)節(jié)閥，所述壓力調(diào)節(jié)閥用于調(diào)節(jié)所述刻蝕液的噴射壓力。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述檢測裝置為溶液檢測裝置；

其中，所述溶液檢測裝置用于檢測所述刻蝕液的濃度或者生成物的濃度；

所述反饋裝置用于計算處理所述濃度數(shù)據(jù)信息，并將處理后的信息反饋給所述控制裝置；

所述控制裝置用于根據(jù)反饋信息控制所述基板的運動速度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述溶液檢測裝置包括溶液收集單元和溶液分析單元；

所述刻蝕槽還包括與所述溶液收集單元一一對應(yīng)的導(dǎo)流管道；

其中，所述溶液收集單元位于所述導(dǎo)流管道的下方。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述濕法刻蝕設(shè)備還包括機械臂；

其中，所述檢測裝置、所述反饋裝置和所述控制裝置均固定在所述機械臂上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述反饋裝置通過計算模擬所述檢測裝置發(fā)送的數(shù)據(jù)信息的曲線確定所述基板的刻蝕狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述控制裝置為電子控制裝置。