[實用新型]高增益雙頻陣列天線有效
| 申請號: | 201420208084.3 | 申請日: | 2014-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN203895598U | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發明(設計)人: | 楊政穎;蔡旻倫;王俊凱 | 申請(專利權)人: | 信邦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/01;H01Q21/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 湯在彥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 增益 雙頻 陣列 天線 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種外接式陣列天線,尤其涉及一種小尺寸且具有較佳應用頻寬與輻射效能的高增益雙頻陣列天線。
背景技術
目前因為科技發展相當迅速,為了增加移動電子設備使用的方便性,其尺寸也設計的越來越迷你,時下可應用的無線通信技術包括無線局域網(WLAN)、WiMAX、3G等通信技術,不同于有線局域網,有線局域網是依靠線纜來傳送信息,對于現代科技而言已經不能滿足需求,而無線通信技術中又以無線局域網技術的發展最為成熟,其應用的范圍也相當的廣泛,例如車站、便利商店、醫院、網咖等等的公共場所都應用了無線局域網技術,其傳輸距離最遠可以達到100米,且具有高速的傳輸速率,使用者能通過個人移動電子設備隨時隨地使用網路環境。
隨著移動電子設備與無線局域網的普及,提供網絡傳輸服務時賴以收發信號的天線設計是格外地重要,天線設計的好壞即影響收發信號的效能,而傳統天線通常為單一頻段,而且天線尺寸龐大不易設置,也不方便使用,同時成本昂貴又容易折損,若想要增加其使用的通信頻段,可通過增加天線的數目、增加天線結構的復雜度或改變天線的幾何形狀,以達到增加頻段或讓天線操作在特定頻帶的需求,但也增加了制造成本,因此設計天線者皆以縮小尺寸、提高效能為目的以增加天線的使用價值。
然而,目前用于無線局域網的雙頻(如2G/5G)天線,其工作的中心頻率通常約在2.45GHz與5.475GHz頻段附近,在滿足最大增益5dBi(Decibel?Isotropic,dBi)的需求時,天線設計不易,并且為了讓無線局域網可以接收中心頻率分別為2.45GHz與5.475GHz頻段的信號同時具有最大增益5dBi,則天線結構的設計復雜勢必造成天線尺寸的增大,因此,若欲設計一種具有優異輻射效能并且尺寸較小的雙頻天線,以現有技術而言,確實有待提出更佳的解決方案。
實用新型內容
鑒于上述現有技術的不足,本實用新型提供一種高增益雙頻陣列天線,其利用陣列結構的形式來充分使用空間,達到高增益、高效率的目的。
為達到上述目的所使用的主要技術手段在于:
高增益雙頻陣列天線包括:
一基板,其具有一第一表面、一第二表面;
一饋入部,其設在所述基板上的第一表面,所述饋入部的兩端分別朝所述基板的二端延伸一第一信號段、一第二信號段與一第三信號段;
一第一輻射體,其設在所述基板第一表面的一端,所述第一輻射體與所述饋入部其中一端的第三信號段連接;
一第二輻射體,其設在所述基板第一表面的二端之間,所述第二輻射體與所述饋入部另一端的第三信號段連接;
一第三輻射體,其設在所述基板第一表面的另一端,所述第三輻射體與所述饋入部另一端的第三信號段連接;
一接地部,其設在所述基板上的第二表面,所述接地部具有兩端并與所述饋入部位置相對;
一第四輻射體,其設在所述基板第二表面的一端,所述第四輻射體與所述接地部其中一端連接;
一第五輻射體,其設在所述基板第二表面的二端之間,所述第五輻射體與所述接地部另一端連接;
一第六輻射體,其設在所述基板第二表面的另一端,所述第六輻射體與所述接地部另一端連接。
根據本實用新型的一實施例,其中所述第一輻射體具有一第一連接部,所述第一連接部的一端與所述饋入部第一端的第三信號段電連接,所述第一連接部的另外兩端分別延伸一第一低頻輻射段以及一第一高頻輻射段,所述第一低頻輻射段、第一高頻輻射段分別形成于所述第一表面上的兩側處。
根據本實用新型的一實施例,所述第二輻射體具有二第二連接部,所述第二連接部的一端與所述饋入部第二端的第三信號段電連接,各第二連接部的另一端分別延伸,并分別在所述第一表面上兩側處相對形成一第二低頻輻射段以及一第二高頻輻射段。
根據本實用新型的一實施例,所述第三輻射體具有二第三連接部,所述第三連接部的一端共同與所述饋入部第二端的第三信號段電連接,所述第三連接部的另一端分別延伸,并且分別在所述第一表面的兩側處形成一第三低頻輻射段以及一第三高頻輻射段。
根據本實用新型的一實施例,所述第四輻射體具有一第四連接部,所述第四連接部上端與所述接地部一端的第五信號段電連接,所述第四連接部的另外兩端分別延伸一第四低頻輻射段以及一第四高頻輻射段,所述第四低頻輻射段、第四高頻輻射段分別形成于所述第二表面上的兩側處。
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