[實用新型]一種提高鑄造晶體硅錠質量的熱場結構有效
| 申請號： | 201420202235.4 | 申請日： | 2014-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN203846136U | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發明（設計）人： | 楊曉琴;陳園;柳杉;吳曉宇;殷建安;梅超;張偉;王鵬;黃治國 | 申請（專利權）人： | 上饒光電高科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 江西省專利事務所 36100 | 代理人： | 楊志宇 |
| 地址： | 334100 江*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 鑄造 晶體 質量 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高鑄造晶體硅錠質量的熱場結構，主要包括頂隔熱板（2），由提升連桿（12）連接在上爐體（1）上的側隔熱籠（3），加熱器（4）與電極（13）連接，石墨護板（5）內設置有陶瓷坩堝（11），石墨護板（5）的底部設有熱交換臺（6）；立柱（8）和底隔熱板（9）均設置在下爐體（7）內，立柱（8）設置在下爐體（7）的底部并支撐熱交換臺（6），底隔熱板（9）設置在側隔熱籠（3）的底部；其特征在于：陶瓷坩堝（11）和石墨護板（5）之間安裝有保溫裝置（10）。
2.根據權利要求1?所述的一種提高鑄造晶體硅錠質量的熱場結構，其特征在于：陶瓷坩堝（11）的四個側墻外面均安裝有保溫裝置（10），并使得保溫裝置（10）圍繞著陶瓷坩堝（11）形成環狀。
3.根據權利要求1或2所述的一種提高鑄造晶體硅錠質量的熱場結構，其特征在于：所述的保溫裝置（10）覆蓋寬度小于陶瓷坩堝高度的60％，厚度為2-10mm。
4.根據權利要求1或2所述的一種提高鑄造晶體硅錠質量的熱場結構，其特征在于：所述的保溫裝置（10）的材質為碳氈。
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