[實(shí)用新型]采用負(fù)電容中和技術(shù)的高速激光二極管驅(qū)動(dòng)器集成電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420201414.6
• 申請(qǐng)日: 2014-04-23
• 公開（公告）號(hào): CN203774608U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃果池;李景虎;張遠(yuǎn)燚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建一丁芯光通信科技有限公司
• 主分類號(hào): H01S5/042
• 分類號(hào): H01S5/042
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109
• 代理人: 張宏威

1.采用負(fù)電容中和技術(shù)的高速激光二極管驅(qū)動(dòng)器集成電路，它由m級(jí)放大器級(jí)聯(lián)構(gòu)成，m為大于或等于1的自然數(shù)；

其特征在于，m級(jí)放大器中的第n級(jí)放大器為采用負(fù)電容中和技術(shù)的可控增益放大器，n≤m，第n級(jí)放大器包括差分放大器和源極跟隨器；

所述差分放大器包括可控電流源I_n1、NMOS晶體管N_n1、NMOS晶體管N_n2、負(fù)載電阻R_n1、負(fù)載電阻R_n2、電容C_n1和電容C_n2；

所述源極跟隨器包括可控電流源I_n2、可控電流源I_n3、NMOS晶體管N_n3和NMOS晶體管N_n4；

電源VDD同時(shí)連接負(fù)載電阻R_n1的一端、負(fù)載電阻R_n2的一端、NMOS晶體管N_n3的漏極和NMOS晶體管N_n4的漏極；

負(fù)載電阻R_n1的另一端同時(shí)連接NMOS晶體管N_n1的漏極、電容C_n1的一端和NMOS晶體管N_n3的柵極；電容C_n1的另一端同時(shí)連接NMOS晶體管N_n2的柵極和m級(jí)放大器中的第n-1級(jí)放大器的輸出端Von_n-1；

NMOS晶體管N_n2的漏極同時(shí)連接NMOS晶體管N_n4的柵極、電容C_n2的一端和負(fù)載電阻R_n2的另一端；電容C_n2的另一端同時(shí)連接m級(jí)放大器中的第n-1級(jí)放大器的輸出端Vo_pn-1和NMOS晶體管N_n1的柵極；

NMOS晶體管N_n1的源極和NMOS晶體管N_n2的源極的公共節(jié)點(diǎn)Vm_n連接可控電流源I_n1的正極，可控電流源I_n1的負(fù)極接地GND；

NMOS晶體管N_n3的源極同時(shí)連接可控電流源I_n2的正極和第n級(jí)放大器的輸出端Vo_pn，可控電流源I_n2的負(fù)極接地GND；

NMOS晶體管N_n4的源極同時(shí)連接可控電流源I_n3的正極和第n級(jí)放大器的輸出端Von_n，可控電流源I_n3的負(fù)極接地GND。