[實用新型]改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構

有效

• 申請號: 201420191998.3
• 申請日: 2014-04-21
• 公開（公告）號: CN203812897U
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 李艷
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所 32225
• 代理人: 孫彬

技術領域

本實用新型涉及一種改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構，屬于太陽能制造領域。

背景技術

目前，太陽能電池作為新興的清潔可再生能源，因具有將太能能直接轉換成電能，其中轉換效率是重點研究方向。選擇性發射極結構是晶體硅太陽能電池生產工藝中實現高效率的方法之一。選擇發射極結構有兩個特點：一是在電極柵線下面是重摻雜，降低金屬與硅之間的歐姆接觸，降低了Rs，提高FF及電池轉換效率，二是在非柵線區域是輕摻雜，解決了死層帶來的表面復合，提高了開路電壓，短路電流及電池轉換效率。

由于選擇發射極工藝有明顯的優勢，行業已經研究出很多工藝來形成選擇發射極結構。例如，中國發明專利200910037425.9選擇發射極的工藝是：通過兩次擴散形成重摻和輕摻區，方阻的均勻性通過擴散的時間，磷源，溫度等來控制。本專利中提到的選擇發射極工藝流程是：擴散進行重摻雜，之后在重摻雜表面噴上絲網印刷的圖形相同的掩膜，此掩膜有一定的要求，不能被酸腐蝕，但會易被堿腐蝕。這樣選擇發射極輕擴區方阻均勻性就由掩膜，酸的濃度，溫度，時間等影響。由于酸在腐蝕硅時會產生NOx氣體，此NOx氣體對藥液的反應有催化作用，需要達到藥液的活性處于飽和狀態時，才可以穩定控制方阻。但現有制程和工藝，在輕擴形成的槽體是由HF&HNO3的混合液進行腐蝕，槽體內滾輪完全水平，保證片子在行走時，藥液均勻在硅片表面腐蝕，藥液是通過三組噴淋，噴淋的距離已經固定，第一組與第二組距離最大，此段距離是決定方阻均勻性的關鍵，且噴淋是由藥液的重力決定流速的大小。在硅片156片源在噴完掩膜時，掩膜有28.9um的高度，掩膜主電極的方向為行進方向垂直，這樣片子在進入第一組噴淋后時，腐蝕時間較長，腐蝕過程中在電極之間產生NOx氣體的藥液，在進入第二組噴淋時無法被新藥及時全部更新，此藥液的活性很強，導致掩膜主電極之間的腐蝕過多，方阻偏大，最終導致整片片子的輕擴區方阻均勻性差。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷，提供一種改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構，它在不影響正常工藝的同時，降低掩膜主電極中的方阻，從而改善輕擴區方阻的均勻性，最終提高了太陽能電池的轉換效率。

為了解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是：一種改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構，在相鄰的腐蝕藥液噴淋裝置之間設置有去除殘留在電池片上的腐蝕藥液的組件。

進一步，所述的腐蝕藥液噴淋裝置具有三組，并且成并列狀布置，在兩個相鄰的腐蝕藥液噴淋裝置之間所形成的區間內，其中至少一個區間設置有所述的組件。

進一步，所述的組件為風刀組件或由彈性材料制成的滾輪組件。

進一步，所述的滾輪組件為竹節狀或長條狀。

更進一步，所述的滾輪組件由海綿制成。

采用了上述技術方案后，在現有生產的工藝的基礎上，不更改原有的工藝流程，只需稍微對輕擴槽進行改造，在相鄰的腐蝕藥液噴淋裝置之間增加去除殘留在電池片上的腐蝕藥液的組件，電池片在進入下一次的腐蝕藥液噴淋裝置之前，采用這種組件將上一次的腐蝕藥液噴淋裝置噴淋后殘留在電池片上的腐蝕藥液，在電池片的行進過程中給去除，這樣在進入下一次的的腐蝕藥液噴淋裝置時就能得到全新的腐蝕藥液，從而避免了由于腐蝕時間較長導致的掩膜主電極之間的腐蝕過多，方阻偏大的現象，通過改善輕擴區方阻均勻性，增加了與絲網印刷電極和燒結匹配窗口，最終提高了硅太陽能電池的轉換效率。

附圖說明

圖1為本實用新型的改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構的第一種結構的結構示意圖；

圖2為本實用新型的改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構的第二種結構的結構示意圖；

圖3為本實用新型的改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構的第三種結構的結構示意圖。

具體實施方式

???為了使本實用新型的內容更容易被清楚地理解，下面根據具體實施例并結合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明。

實施例一?

如圖1所示，一種改善選擇發射極輕擴區方阻均勻性結構，腐蝕藥液噴淋裝置1具有三組，并且成并列狀布置，在第一個腐蝕藥液噴淋裝置1和第二個腐蝕藥液噴淋裝置1之間設置有去除殘留在電池片上的腐蝕藥液的組件，該組件為由彈性材料制成的滾輪組件3，并且滾輪組件3為竹節狀。該滾輪組件3不破壞掩膜，避免有高度的掩膜被此結構擠壓變形。

實施例二