[實用新型]基于單片機的電壓沖擊試驗模擬器

有效

• 申請號: 201420189644.5
• 申請日: 2014-04-17
• 公開（公告）號: CN203941197U
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 陳坤;馬強
• 申請（專利權）人: 航天長峰朝陽電源有限公司
• 主分類號: G01R1/28
• 分類號: G01R1/28;G01R31/12
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 侯蔚寰

1.一種基于單片機的電壓沖擊試驗模擬器，其特征在于：所述模擬器包括單片機控制電路、MOS管器件及輔助供電電路組成，其中U1為單片機控制器；X1為石英晶振，作為系統時鐘基準，V1、V2和V3二極管為輸出隔離，Q1、Q2?和MOS管作為開關管，其中單片機為主控核心器件，通過控制模塊對外圍器件進行控制，單片機系統時鐘通過石英晶振進行設置，設備開機后，通過單片機控制Q1接通為后級電路提供供電，?V1、V2和V3：電壓隔離電路，由于模擬器工作時V1、V2和V3所在電路電壓不同，需通過二極管進行電壓隔離，來確保整個電路輸出端的正常運行，通過控制模塊控制外圍MOS管的通斷，控制模擬尖峰電壓的施加與撤除，元器件最佳參數為，U1單片機選型為：AT89C2051；?X1晶振選型為：12M；C1、C2電容選型為：50V?20pF；C3電容選型為：50V?10uF；V1-V3二極管選型為：MUR3020；Q1、Q2?和MOS管選型為IRFPG50。