[實(shí)用新型]基于單片機(jī)的電壓沖擊試驗(yàn)?zāi)M器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420189644.5
• 申請(qǐng)日: 2014-04-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203941197U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳坤;馬強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 航天長(zhǎng)峰朝陽(yáng)電源有限公司
• 主分類號(hào): G01R1/28
• 分類號(hào): G01R1/28;G01R31/12
• 代理公司: 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348
• 代理人: 侯蔚寰

1.一種基于單片機(jī)的電壓沖擊試驗(yàn)?zāi)M器，其特征在于：所述模擬器包括單片機(jī)控制電路、MOS管器件及輔助供電電路組成，其中U1為單片機(jī)控制器；X1為石英晶振，作為系統(tǒng)時(shí)鐘基準(zhǔn)，V1、V2和V3二極管為輸出隔離，Q1、Q2?和MOS管作為開(kāi)關(guān)管，其中單片機(jī)為主控核心器件，通過(guò)控制模塊對(duì)外圍器件進(jìn)行控制，單片機(jī)系統(tǒng)時(shí)鐘通過(guò)石英晶振進(jìn)行設(shè)置，設(shè)備開(kāi)機(jī)后，通過(guò)單片機(jī)控制Q1接通為后級(jí)電路提供供電，?V1、V2和V3：電壓隔離電路，由于模擬器工作時(shí)V1、V2和V3所在電路電壓不同，需通過(guò)二極管進(jìn)行電壓隔離，來(lái)確保整個(gè)電路輸出端的正常運(yùn)行，通過(guò)控制模塊控制外圍MOS管的通斷，控制模擬尖峰電壓的施加與撤除，元器件最佳參數(shù)為，U1單片機(jī)選型為：AT89C2051；?X1晶振選型為：12M；C1、C2電容選型為：50V?20pF；C3電容選型為：50V?10uF；V1-V3二極管選型為：MUR3020；Q1、Q2?和MOS管選型為IRFPG50。