[實用新型]一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420184996.1 | 申請日： | 2014-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN203932081U | 公開（公告）日： | 2014-11-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李帥鋒;沈一清;張洪超;張磊;占偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江長興漢能光伏有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0445 | 分類號： | H01L31/0445;H01L31/0224;H01L31/056 |
| 代理公司： | 湖州金衛(wèi)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 趙衛(wèi)康 |
| 地址： | 313000 浙江省湖州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 緩沖 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，包括襯底層、在襯底層依次疊層設(shè)置TCO層、非晶硅P-I-N層和背電極層，其特征在于：所述背電極層包括緩沖層和AL層，所述緩沖層為GZO層和Ag層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述背電極層各層在襯底層排列順序依次為GZO層、Ag層和AL層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述GZO為摻雜鎵的氧化鋅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述GZO層厚度為30-50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述Ag層厚度為40-60nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述AL層厚度為150-200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述襯底層為透明玻璃或低鐵超白玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有緩沖層的硅基薄膜太陽能電池，其特征在于：所述TCO為摻雜氟的氧化錫FTO或摻雜鋁的氧化鋅AZO。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
