[實用新型]一種N型背結太陽能電池有效
| 申請號： | 201420182717.8 | 申請日： | 2014-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN203812893U | 公開（公告）日： | 2014-09-03 |
| 發明（設計）人： | 劉運宇;王栩生;章靈軍 | 申請（專利權）人： | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陸金星 |
| 地址： | 215129 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 型背結 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種N型背結太陽能電池，包括N型硅片襯底(1)，N型硅片襯底的前表面設有絨面結構，絨面結構上具有N+區(2)，N+區上設有減反射膜層(3)；減反射膜層上設有正面電極(4)；其特征在于：
所述N型硅片襯底的背表面上設有P+區(5)，P+區上依次設有硼硅玻璃鈍化層(6)、阻擋層(7)和鋁背電極(8)；所述N型硅片襯底的背表面上還設有點接觸開口，使所述鋁背電極穿過所述硼硅玻璃鈍化層和阻擋層與P+區電連接；
所述硼硅玻璃鈍化層的厚度為20~100納米。
2.根據權利要求1所述的N型背結太陽能電池，其特征在于：所述N型硅片襯底的前表面的N+區與減反射膜層之間還設有氧化硅層(10)。
3.根據權利要求1所述的N型背結太陽能電池，其特征在于：所述N型硅片襯底的前表面的減反射膜層為氮化硅層。
4.根據權利要求3所述的N型背結太陽能電池，其特征在于：所述氮化硅層的厚度為60~90納米。
5.根據權利要求1所述的N型背結太陽能電池，其特征在于：所述N型硅片襯底的背表面的阻擋層為氮化硅層。
6.根據權利要求5所述的N型背結太陽能電池，其特征在于：所述氮化硅層的厚度為60~90納米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
