[實用新型]加熱電極以及相變存儲結構有效
| 申請號： | 201420182126.0 | 申請日： | 2014-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN203871380U | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發明（設計）人： | 程國勝;衛芬芬;孔濤;張杰;黃榮 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 加熱 電極 以及 相變 存儲 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種相變存儲結構的加熱電極，其特征在于：所述加熱電極包括上加熱電極以及與所述上加熱電極連接的下加熱電極，所述上加熱電極的截面積小于所述下加熱電極的截面積。
2.根據權利要求1所述的相變存儲結構的加熱電極，其特征在于：所述上加熱電極的材質選自鎢、氮化鈦/鎢雙層膜中的一種。
3.根據權利要求1所述的相變存儲結構的加熱電極，其特征在于：所述下加熱電極為導電薄膜，所述導電薄膜的材質選自TiN、TiSiN或TiON。
4.一種相變存儲結構，包括相變材料層、上電極、下電極和加熱電極，其特征在于：所述加熱電極包括下加熱電極以及連接在所述相變材料層和下加熱電極之間的上加熱電極，所述上加熱電極的截面積小于所述下加熱電極的截面積。
5.根據權利要求4所述的相變存儲結構，其特征在于：所述上加熱電極的材質選自鎢、氮化鈦/鎢雙層膜中的一種。
6.根據權利要求4所述的相變存儲結構，其特征在于：所述下加熱電極為導電薄膜，所述導電薄膜的材質選自TiN、TiSiN或TiON。
7.根據權利要求4所述的相變存儲結構，其特征在于：所述上加熱電極為圓柱體形狀，其高度為50~200nm，直徑為5~100nm。
8.根據權利要求4所述的相變存儲結構，其特征在于：所述導電薄膜層的厚度為10~50nm。
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