[實(shí)用新型]復(fù)合導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420180783.1
• 申請(qǐng)日: 2014-04-15
• 公開（公告）號(hào): CN203932041U
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃嘉能
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長華科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495;H01L33/62
• 代理公司: 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11228
• 代理人: 張若華

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型關(guān)于一種軟性基板及金屬導(dǎo)線架的復(fù)合結(jié)構(gòu)；更詳而言，特別指將軟性基板和金屬導(dǎo)線架黏接組成的復(fù)合導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，其效果為導(dǎo)電性佳、熱導(dǎo)性佳、機(jī)械耐久力高、高腳化及小型化，又能應(yīng)用于覆晶、打線等半導(dǎo)體封裝技術(shù)的產(chǎn)品，且適用于LED、IC半導(dǎo)體封裝的產(chǎn)品。

背景技術(shù)

公知的軟性基板主要是將銅箔和酰胺化合物(Polyimide，PI)貼合而成，再以蝕刻、電解電鍍形成導(dǎo)電線路，而完成軟性基板的制作；如圖1所示，軟性基板8主要結(jié)構(gòu)為軟性基材80、上金屬層81及黏著層82，其中，上金屬層81上方設(shè)有金屬電鍍層83。公知，軟性基板8和IC84共晶時(shí)，一般以附加電路板（圖中未示）提高軟性基板8封裝的機(jī)械耐久力，使得IC84封裝制程優(yōu)良率提高；此外，軟性基材80一般為酰胺化合物(Polyimide，PI)的材質(zhì)，使得熱傳導(dǎo)系數(shù)約在0.1~0.35 W/mK的軟性基材80的導(dǎo)熱效果劣于熱傳導(dǎo)系數(shù)約在398W/mK的銅金屬導(dǎo)線架，或者為了增加導(dǎo)熱效果必須額外設(shè)置散熱結(jié)構(gòu)。

此外，公知的銅金屬導(dǎo)線架9如圖2所示，銅金屬導(dǎo)線架9主要結(jié)構(gòu)為導(dǎo)腳90，導(dǎo)腳90上方及下方設(shè)有金屬電鍍層91。由于銅金屬導(dǎo)線架9的厚度造成各導(dǎo)腳間距大于軟性基板的導(dǎo)電線路間距，使得銅金屬導(dǎo)線架9的導(dǎo)腳數(shù)遠(yuǎn)小于軟性基板的導(dǎo)電線路數(shù)，導(dǎo)致IC封裝后的產(chǎn)品尺寸較大。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種復(fù)合導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，其導(dǎo)電性佳、熱導(dǎo)性佳、機(jī)械耐久力高、高腳化及小型化，又能適用于覆晶、打線等LED或IC半導(dǎo)體封裝技術(shù)的產(chǎn)品。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種復(fù)合導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，其中由植晶層及焊接層組合而成，復(fù)合導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)由兩個(gè)以上的單體排列所形成，單體和單體之間設(shè)有單體間隙，單體間隙設(shè)有單體植晶間隙、單體貼帶間隙及焊接層單體間隙，又焊接層單體間隙填充有絕緣材，單體設(shè)有植晶部及焊接部，植晶部設(shè)有兩個(gè)以上的第一導(dǎo)腳及一第一絕緣間隙，植晶部的各第一導(dǎo)腳設(shè)有至少一個(gè)導(dǎo)電通孔，又植晶部的各第一導(dǎo)腳依序由頂端向下設(shè)有上金屬層、上黏著層、貼帶層及下黏著層，植晶部的第一絕緣間隙設(shè)有導(dǎo)腳絕緣間隙及導(dǎo)腳貼帶間隙，第一絕緣間隙形成于各第一導(dǎo)腳尖和各第一導(dǎo)腳尖之間，焊接部設(shè)有兩個(gè)以上的第二導(dǎo)腳及一第二絕緣間隙，焊接部的第二絕緣間隙填充有絕緣材，焊接部的第二絕緣間隙形成于各第二導(dǎo)腳尖和各第二導(dǎo)腳尖之間，植晶部的各第一導(dǎo)腳和焊接部的各第二導(dǎo)腳上下相互對(duì)應(yīng)，使得植晶部的下黏著層和焊接部緊密結(jié)合而成。

植晶部的兩個(gè)以上的第一導(dǎo)腳數(shù)及焊接部的兩個(gè)以上的第二導(dǎo)腳數(shù)大于二時(shí)，植晶部各第一導(dǎo)腳和各第一導(dǎo)腳之間設(shè)有導(dǎo)腳絕緣間距及導(dǎo)腳貼帶間距，焊接部各第二導(dǎo)腳和各第二導(dǎo)腳之間設(shè)有絕緣間距，焊接部的絕緣間距填充有絕緣材。

導(dǎo)腳貼帶間距設(shè)為酰胺化合物。

一種復(fù)合導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)，其中由植晶層、黏接層及焊接層組合而成，又復(fù)合導(dǎo)線架結(jié)構(gòu)由兩個(gè)以上的單體排列所形成，單體和單體之間設(shè)有單體間隙，單體間隙設(shè)有單體植晶間隙、單體貼帶間隙及焊接層單體間隙，焊接層單體間隙填充有絕緣材，單體設(shè)有植晶部、黏接部及焊接部，植晶部設(shè)有兩個(gè)以上的第一導(dǎo)腳及一第一絕緣間隙，植晶部的各第一導(dǎo)腳設(shè)有至少一個(gè)導(dǎo)電通孔，植晶部的各第一導(dǎo)腳依序由頂端向下設(shè)有上金屬層、上黏著層、貼帶層、下黏著層及下金屬層，植晶部的第一絕緣間隙設(shè)有導(dǎo)腳絕緣間隙及導(dǎo)腳貼帶間隙，植晶部的第一絕緣間隙形成于各第一導(dǎo)腳尖和各第一導(dǎo)腳尖之間，焊接部設(shè)有兩個(gè)以上的第二導(dǎo)腳及一第二絕緣間隙，焊接部的第二絕緣間隙填充有絕緣材，焊接部的第二絕緣間隙形成于各第二導(dǎo)腳尖和各第二導(dǎo)腳尖之間，黏接部位于植晶部和焊接部之間，植晶部的各第一導(dǎo)腳和焊接部的各第二導(dǎo)腳上下相互對(duì)應(yīng)，使得植晶部和焊接部緊密結(jié)合而成。

植晶部的兩個(gè)以上的第一導(dǎo)腳數(shù)及焊接部的兩個(gè)以上的第二導(dǎo)腳數(shù)大于二時(shí)，植晶部各第一導(dǎo)腳和各第一導(dǎo)腳之間設(shè)有導(dǎo)腳絕緣間距及導(dǎo)腳貼帶間距，焊接部各第二導(dǎo)腳和各第二導(dǎo)腳之間設(shè)有絕緣間距，焊接部的絕緣間距填充有絕緣材。

導(dǎo)腳貼帶間距設(shè)為酰胺化合物。

黏接部為導(dǎo)電膠。

黏接部設(shè)有上黏接部及下黏接部，又上黏接部位于植晶部的第一導(dǎo)腳下方，及下黏接部位于焊接部的第二導(dǎo)腳上方，又黏接部以上黏接部及下黏接部共晶結(jié)合而成。