[實(shí)用新型]基于磁電阻技術(shù)的磁頭

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420180411.9
• 申請(qǐng)日: 2014-04-14
• 公開（公告）號(hào): CN203825177U
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白建民;王建國;黎偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫樂爾科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R33/09
• 分類號(hào): G01R33/09;G07D7/04
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：其包括至少一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)感應(yīng)方向相同的傳感單元以及輸出引針；

所述傳感單元用以檢測(cè)磁性介質(zhì)的漏磁場(chǎng)；

所述輸出引針的輸入端和輸出端分別與所述傳感器的相應(yīng)端口電連接，用以將傳感器與系統(tǒng)連接；

所述傳感單元的敏感元件為巨磁電阻元件或磁性隧道結(jié)元件，所述巨磁電阻元件和磁性隧道結(jié)元件為納米級(jí)厚度的多層膜結(jié)構(gòu)，所述納米級(jí)多層膜結(jié)構(gòu)至少包含自由層、非磁性層以及釘扎層三層納米級(jí)薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述傳感單元為單電阻、半橋或全橋結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述半橋?yàn)橥仆彀霕颉⒖及霕蚧蛱荻劝霕颍鋈珮驗(yàn)橥仆烊珮颉⒖既珮蚧蛱荻热珮颉?/p>

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述半橋、全橋的每個(gè)橋臂由一個(gè)或多個(gè)磁場(chǎng)敏感方向相同的巨磁電阻元件或磁性隧道結(jié)元件組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述梯度全橋和梯度半橋結(jié)構(gòu)的所有橋臂的巨磁電阻元件或磁性隧道結(jié)元件的磁場(chǎng)敏感方向相同，并且全橋中相對(duì)位置的兩個(gè)橋臂位于空間中的同一位置，相鄰位置的兩個(gè)橋臂位于空間中的不同位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述傳感器還包括電路模塊，所述電路模塊的輸入輸出端分別與傳感單元以及輸出引針的相應(yīng)端口電連接，所述電路模塊含有信號(hào)放大單元、降噪單元和解碼單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述電路模塊還包含防靜電單元。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述電路模塊還包含加密單元用于加密輸出信號(hào)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6、7或8所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述電路模塊為集成電路芯片，其輸入端和輸出端通過印刷線路板與傳感單元的相應(yīng)端口電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述巨磁電阻元件或磁性隧道結(jié)元件附近設(shè)置有軟磁體。

11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、5、6、7、8任一項(xiàng)所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述傳感器包括支架，所述支架為非永磁材料，用以支撐所述傳感器的所有部件。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基于磁電阻技術(shù)的磁頭，其特征在于：所述傳感器包括外殼，所述外殼為非永磁材料，包覆于所述支架的外部，用以保護(hù)置于支架內(nèi)的所述傳感器的所有部件。