[實(shí)用新型]LTE基站電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420173702.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203814039U | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃國(guó)昊;張黎君;田輝;熊勝峰;鄭旭升 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市三木通信技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H05K1/02 | 分類號(hào): | H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | lte 基站 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于4G領(lǐng)域,尤其涉及一種LTE基站電路。
背景技術(shù)
LTE(Long?Term?Evolution,長(zhǎng)期演進(jìn))是由3GPP(The3rd?Generation?Partnership?Project,第三代合作伙伴計(jì)劃)組織制定的UMTS(Universal?Mobile?Telecommunications?System,通用移動(dòng)通信系統(tǒng))技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的長(zhǎng)期演進(jìn),于2004年12月在3GPP多倫多TSG?RAN#26會(huì)議上正式立項(xiàng)并啟動(dòng)。LTE系統(tǒng)引入了OFDM(Orthogonal?Frequency?Division?Multiplexing,正交頻分復(fù)用)和MIMO(Multi-input?Multi-output,多輸入多輸出)等關(guān)鍵傳輸技術(shù),顯著增加了頻譜效率和數(shù)據(jù)傳輸速率(20M帶寬2X2MIMO在64QAM情況下,理論下行最大傳輸速率為201Mbps,除去信令開銷后大概為140Mbps,但根據(jù)實(shí)際組網(wǎng)以及終端能力限制,一般認(rèn)為下行峰值速率為100Mbps,上行為50Mbps),并支持多種帶寬分配:1.4MHz,3MHz,5MHz,10MHz,15MHz和20MHz等,且支持全球主流2G/3G頻段和一些新增頻段,因而頻譜分配更加靈活,系統(tǒng)容量和覆蓋也顯著提升。LTE系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)更加扁平化簡(jiǎn)單化,減少了網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)和系統(tǒng)復(fù)雜度,從而減小了系統(tǒng)時(shí)延,也降低了網(wǎng)絡(luò)部署和維護(hù)成本。LTE系統(tǒng)支持與其他3GPP系統(tǒng)互操作。LTE系統(tǒng)有兩種制式:FDD-LTE和TDD-LTE,即頻分雙工LTE系統(tǒng)和時(shí)分雙工LTE系統(tǒng),二者技術(shù)的主要區(qū)別在于空中接口的物理層上(像幀結(jié)構(gòu)、時(shí)分設(shè)計(jì)、同步等)。FDD-LTE系統(tǒng)空口上下行傳輸采用一對(duì)對(duì)稱的頻段接收和發(fā)送數(shù)據(jù),而TDD-LTE系統(tǒng)上下行則使用相同的頻段在不同的時(shí)隙上傳輸,相對(duì)于FDD雙工方式,TDD有著較高的頻譜利用率。
現(xiàn)有的LTE基站的電路存在很多的器件,器件之間均通過(guò)印刷電路板連接,但是現(xiàn)有的印刷電路板的結(jié)構(gòu)使得器件之間容易出現(xiàn)連錫現(xiàn)象、錫膏不均勻和焊接短路現(xiàn)象。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種LTE基站電路,其解決現(xiàn)有技術(shù)的LTE基站電路容易出現(xiàn)連錫現(xiàn)象和焊接短路的問題。
本實(shí)用新型實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一方面,提供一種LTE基站電路,所述電路包括:LTE通信模塊和LTE印刷電路板;其中,所述LTE印刷電路板包括:基板和多個(gè)焊接點(diǎn),其中,多個(gè)焊接點(diǎn)中每二個(gè)焊接點(diǎn)之間均設(shè)置有錫槽;所述錫槽的底部設(shè)置有絕緣層。
可選的,所述焊接點(diǎn)包括:孔和U形銅箔盤,其中所述U形銅箔盤的U型開口方向朝向所述錫槽。
在本實(shí)用新型實(shí)施例中,本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案在LTE基站電路,該基站電路包括新型的印刷電路板,將電路板的銅箔層設(shè)置成U型,這樣能夠有利均勻分布錫膏,不易出現(xiàn)連錫現(xiàn)象。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型提供的一種LTE基站電路的結(jié)構(gòu)圖;
圖2是本實(shí)用新型提供的LTE基站電路的焊接點(diǎn)示意圖;
圖3是本實(shí)用新型提供的LTE基站電路的銅箔層結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
本實(shí)用新型具體實(shí)施方式提供一種LTE基站電路,該基站電路包括:LTE通信模塊和LTE印刷電路板;其中,LTE印刷電路板如圖1所示,包括:基板10和多個(gè)焊接點(diǎn)11,其中,多個(gè)焊接點(diǎn)11中每二個(gè)焊接點(diǎn)11之間均設(shè)置有錫槽12;錫槽12的底部設(shè)置有絕緣層。
本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案在每個(gè)焊接點(diǎn)11中間設(shè)置錫槽,這樣多余的錫會(huì)流入錫槽,這樣就避免了連錫現(xiàn)象,并且錫槽底部還設(shè)置有絕緣層,這能避免錫槽內(nèi)錫過(guò)多流入其他層的電路板,導(dǎo)致其他層的電路板短路,所以其具有不易出現(xiàn)連錫現(xiàn)象的優(yōu)點(diǎn)。
可選的,上述焊接點(diǎn)11(如圖2所示)包括:孔110和U形銅箔盤111(如圖3所示),其中U形銅箔盤111的U型開口方向朝向錫槽12。
本實(shí)用新型設(shè)置U型銅箔盤111比圓形的銅箔盤更容易使得錫膏均勻分布,并且U型銅箔盤111的開口能積累一部分多余的錫,這樣增加了相鄰兩個(gè)焊點(diǎn)的距離,更不容易出現(xiàn)連錫現(xiàn)象,也使得LTE基站電路更不容易出現(xiàn)短路。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
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