[實用新型]基于石墨烯薄膜-碳納米管陣列復合電極的超級電容器

有效

• 申請號: 201420172222.7
• 申請日: 2014-04-08
• 公開（公告）號: CN203746670U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 王振華;姜久興;張光宇;姬廣舉;吳淼;文濟菲;劉琳婧;蘇瑞;陶成娟;韓江濤;許健君
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: H01G11/24
• 分類號: H01G11/24;H01G11/32;H01G11/36
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 侯靜

1.基于石墨烯薄膜-碳納米管陣列復合電極的超級電容器，其特征在于該超級電容器包括第一電極引線（1）、第二電極引線（2）、第一集電極（3）、第二集電極（4）、石墨烯薄膜（5）、碳納米管陣列（6）、隔膜（7）和電容器外殼（8），第一集電極（3）與第二集電極（4）對稱設置于電容器外殼（8）內側兩端，第一集電極（3）與第二集電極（4）之間設置有隔膜（7），隔膜（7）將電容器分隔成兩個腔室，每個腔室內都裝有電解液，第一集電極（3）和第二集電極（4）表面覆蓋石墨烯薄膜（5），石墨烯薄膜（5）表面垂直生長有碳納米管陣列（6），第一電極引線（1）與第一集電極（3）連接，第二電極引線（2）與第二集電極（4）連接。

2.根據權利要求1所述的基于石墨烯薄膜-碳納米管陣列復合電極的超級電容器，其特征在于所述第一集電極（3）和第二集電極（4）的厚度為均4～5mm。

3.根據權利要求1所述的基于石墨烯薄膜-碳納米管陣列復合電極的超級電容器，其特征在于所述碳納米管陣列（6）的高度為200～600μm。