[實用新型]晶片電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420165158.X | 申請日: | 2014-04-04 |
| 公開(公告)號: | CN203871371U | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 盧長軍;潘彤;余杰 | 申請(專利權(quán))人: | 利亞德光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 李志剛;吳貴明 |
| 地址: | 100091 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 電路 | ||
1.一種晶片電路,其特征在于,包括:
晶片,固定在基板上;
電極,設(shè)置在所述晶片上;
焊盤,設(shè)置在所述基板上;以及
多根焊線,所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤,其中,所述多根焊線為并聯(lián)焊線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為一個電極,所述焊盤為一個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端均連接至所述一個電極,所述多根焊線的第二端均至所述一個焊盤。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為一個電極,所述焊盤為多個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端均連接至所述一個電極,所述多根焊線的第二端連接至所述多個焊盤中的任一焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為一個電極,所述焊盤為多個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端均連接至所述一個電極,所述多根焊線的第二端連接至所述多個焊盤中的不同焊盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極包括第一電極和第二電極,所述焊盤包括第一焊盤和第二焊盤,所述多根焊線包括第一焊線和第二焊線,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述第一焊線的第一端連接至所述第一電極,所述第一焊線的第二端連接至所述第一焊盤,所述第二焊線的第一端連接至所述第二電極,所述第二焊線的第二端連接至所述第二焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為多個電極,所述焊盤為一個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端連接至所述多個電極中的任一電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述一個焊盤。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為多個電極,所述焊盤為一個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端連接至所述多個電極中的不同電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述一個焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為多個電極,所述焊盤為多個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端連接至所述多個電極中的任一電極,所述多根焊線的第二端連接至所述多個焊盤中的任一焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為多個電極,所述焊盤為多個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端連接至所述多個電極中的不同電極,所述多根焊線的第二端連接至所述多個焊盤中的不同焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為多個電極,所述焊盤為多個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端連接至所述多個電極中的任一電極,所述多根焊線的第二端連接至所述多個焊盤中的不同焊盤。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電路,其特征在于,所述電極為多個電極,所述焊盤為多個焊盤,
所述多根焊線的第一端均連接至所述電極,所述多根焊線的第二端均連接至所述焊盤包括:所述多根焊線的第一端連接至所述多個電極中的不同電極,所述多根焊線的第二端連接至所述多個焊盤中的任一焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求5至11任一項所述的晶片電路,其特征在于,所述電極同時設(shè)置在所述晶片的P型材料側(cè)或者同時設(shè)置在所述晶片的N型材料側(cè)。
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