[實用新型]磷化銦晶片退火盒

有效

• 申請號: 201420162958.6
• 申請日: 2014-04-04
• 公開（公告）號: CN203774268U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 王陽;孫聶楓;孫同年
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 米文智

技術領域

本實用新型適用于半導體材料的加工技術領域，特別是涉及一種磷化銦晶片退火盒。

背景技術

磷化銦晶片退火已成為一種重要的加工技術。通過對晶片高溫退火，能降低晶片在生長過程中引入的熱應力，提高晶片的電學均勻性，減小晶片的碎片率。磷化銦晶片退火過程主要為以下幾步：晶片清洗，放置晶片退火盒中，放入適量的紅磷，封存于石英管中，放入退火爐進行高溫退火，取出晶片等。然而，使用不同的晶片盛放裝置，退火的效果是不同的。常用的方式有兩種，即：晶片水平放置和晶片豎立放置。晶片水平放置方式一般是放置在退火盒中水平的石英板上，但是晶片下表面和上表面與氣氛接觸的程度不同，從而影響晶片的電學均勻性和表面完整性。晶片豎立放置方式一般是將晶片豎立的放置在退火盒的凹槽或雙層擋板之間，這樣避免了晶片與氣氛接觸不一致的問題，但是晶片必然不是垂直放置的，由于重力的影響，晶片會在長時間高溫退火過程中發生形變，影響晶片的幾何參數（TTV、TIR、Warp、BOW）。

申請號為200910194785.X的專利公開了一種晶片承載裝置，該專利中承載裝置與晶片中未形成半導體圖形的部分接觸，而實現承載晶片的目的，并且通過去離子水的表面張力作用吸附被承載的晶片，進一步地，選用限位裝置防止晶片在轉移運輸過程中，發生橫向位移，該裝置結構簡單，晶片受壓強度小的特點，能夠避免承載過程中晶片斷裂的情況發生。當進行高溫退火時，需要滿足晶片上下表面與氣氛接觸一致，該結構與晶片邊沿為環接觸，影響氣氛進入晶片下表面，影響退火效果。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種磷化銦晶片退火盒，晶片在退火過程中上下表面同氣氛的接觸程度基本一致，避免晶片發生形變。

為解決上述技術問題，本實用新型所采取的技術方案是：一種磷化銦晶片退火盒，其特征在于包括：底座、盛料室、晶片平臺、支撐柱、固定柱和頂蓋，所述底座為長條形槽狀結構，其上方設有與底座配合的頂蓋，在頂蓋和底座之間布設有一個以上的晶片平臺，所述晶片平臺的兩端支撐于底座的兩側壁上，晶片平臺與底座之間的凹槽為盛料室，每個晶片平臺上有多個支撐柱和多個固定柱，支撐柱和固定柱呈發散式分布，并且固定柱的高度高于支撐柱，晶片放置于支撐柱上方，并通過固定柱限制晶片平動。

對上述結構作進一步優選，所述底座上的布設的晶片平臺之間留有空隙。

對上述結構作進一步優選，所述支撐柱下部為圓柱體結構，上部為半球體結構；支撐柱的分散式分布為晶片平臺中心點處1個，等間距的2個同心圓上每隔45°有1個柱體，共17個。

對上述結構作進一步優選，所述固定柱下部為圓柱體結構，上部為半球體結構；多個固定柱分布晶片外部的的同心圓上，每隔90°有1個柱體，共4個。

對上述結構作進一步優選，所述底座、盛料室、晶片平臺、支撐柱、固定柱和頂蓋均用高純石英制成。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：本實用新型用于磷化銦晶片的退火工藝，使晶片上下表面同氣氛的接觸程度基本一致，提高了晶片的電學均勻性和表面完整性，同時，減小了重力對晶片幾何參數的影響，解決了晶片正反面退火表面形貌不一致，因重力因素導致晶片形變，并且可以實現多片同時退火，提高生產效率等優點。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。

圖1是本實用新型的結構剖面視圖；

圖2是本實用新型去掉頂蓋的俯視圖，其中左側的晶片平臺上設有晶片，中間和右側的晶片平臺未設晶片；

其中：1、底座，2、盛料室，3、晶片平臺，4、支撐柱，5、固定柱，6、頂蓋，7、晶片。

具體實施方式

結合附圖1、2，對本實用新型進行詳細闡述，以使本實用新型的優點和特征能更易于被該領域技術人員理解，從而對本實用新型的保護范圍做出更為清楚明確的界定。