[實用新型]類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420160343.X
• 申請日: 2014-04-03
• 公開（公告）號: CN203834012U
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 蔣紹洪
• 申請（專利權(quán)）人: 蔣紹洪
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C16/54;C23C14/06;C23C16/26
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 張海英;韓國勝

1.一種類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，包括依次設置的呈真空狀態(tài)的進架室、DLC鍍膜室以及出架室，還包括貫穿所述進架室、所述DLC鍍膜室以及出架室的軌道，所述軌道上設置用于裝夾待鍍膜基材的可在所述軌道上勻速移動的基材架，所述DLC鍍膜室為可同時實現(xiàn)PVD磁控濺射和CVD氣相沉積的復合鍍膜腔室，所述DLC鍍膜室內(nèi)設置用于鍍制DLC膜的第一工作靶。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述進架室與所述DLC鍍膜室之間設置工藝室，所述工藝室為磁控濺射工藝室，所述工藝室內(nèi)設置有對所述待鍍膜基材表面鍍制過渡層的第二工作靶。?

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述工藝室與所述DLC鍍膜室之間設置氣氛隔離室，所述氣氛隔離室為可對所述工藝室和所述DLC鍍膜室之間的氣氛進行隔離的狹縫及分子泵軟隔離腔室。?

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述第一工作靶為硅靶或石墨靶。?

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述DLC鍍膜室包括第一腔體，所述第一腔體內(nèi)設置有鍍膜用工作氣體，所述第一工作靶通過絕緣體固定在所述第一腔體內(nèi)并位于所述待鍍膜基材的一側(cè)。?

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述第一腔體外設置冷卻水管，所述冷卻水管的出水端延伸至所述絕緣體內(nèi)并位于所述第一工作靶的一側(cè)，用于對所述第一工作靶進行冷卻。?

7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一項所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述進架室與所述工藝室之間設置第一真空過渡室，和/或，所述出架室與所述DLC鍍膜室之間設置第二真空過渡室。?

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述?進架室、所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室、所述第二真空過渡室以及所述出架室均與真空抽空系統(tǒng)連接，所述真空抽空系統(tǒng)包括第一真空抽空系統(tǒng)和第二真空抽空系統(tǒng)，所述進架室和所述出架室與所述第二真空抽空系統(tǒng)連接，所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室以及所述第二真空過渡室與所述第一真空抽空系統(tǒng)連接。?

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述進架室與所述第一真空過渡室之間、所述第一真空過渡室與所述工藝室之間、所述DLC鍍膜室與所述第二真空過渡室之間，所述第二真空過渡室與所述出架室之間、所述出架室與外界以及所述進架室與外界之間均設置有隔離閥。?

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的類鉆石薄膜連續(xù)型鍍膜裝置，其特征在于，所述所述進架室、所述第一真空過渡室、所述工藝室、所述氣氛隔離室、所述DLC鍍膜室、所述第二真空過渡室以及所述出架室呈直線型或者U型布置。?