[實(shí)用新型]三維封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420155463.0
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN204144247U
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王文斌;王之奇;喻瓊;王蔚
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華;應(yīng)戰(zhàn)

1.一種三維封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：?

第一襯底，第一襯底上具有第一焊盤；?

位于第一焊盤上的第一鍵合層；?

位于第一鍵合層周圍形成保護(hù)墻，所述保護(hù)墻的頂部表面高于第一鍵合層的表面；?

倒裝在第一襯底上的第二襯底，所述第二襯底上具有第二焊盤，所述第二焊盤的表面上具有第二鍵合層，第二襯底上的第二鍵合層與第一襯底上的第一鍵合層鍵合連接，所述保護(hù)墻圍繞所述第一鍵合層和第二鍵合層。?

2.如權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一襯底中具有第一集成電路，所述第一焊盤與第一集成電路電連接，所述第二襯底中具有第二集成電路，所述第二焊盤與第二集成電路電連接。?

3.如權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)墻覆蓋第一鍵合層的側(cè)壁，并且所述保護(hù)墻包括相鄰的第一部分和第二部分，保護(hù)墻的第一部分位于第一鍵合層的表面，保護(hù)墻的第二部分位于第一襯底的表面。?

4.如權(quán)利要求3所述的三維封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二鍵合層的寬度小于或等于保護(hù)墻兩相對內(nèi)側(cè)壁之間的距離。?

5.如權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)墻位于第一襯底表面上，且所述保護(hù)墻的側(cè)壁與第一鍵合層和第二鍵合層的側(cè)壁接觸。?

6.如權(quán)利要求1所述的三維封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)墻的厚度小于第一鍵合層和第二鍵合層的總厚度。?