[實用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420155417.0
• 申請日: 2014-04-01
• 公開（公告）號: CN203870365U
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫雙;張方振;牛菁
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L23/50
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于顯示裝置制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)是一種重要的平板顯示設(shè)備。根據(jù)驅(qū)動液晶的電場方向，可以分為垂直電場型和水平電場型。垂直電場型需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極，如常用的TN模式；而水平電場型則需要在陣列基板上同時形成像素電極和公共電極，如ADS模式（高級超維場轉(zhuǎn)換模式）。ADSDS（簡稱ADS）是京東方自主創(chuàng)新的以寬視角技術(shù)為代表的核心技術(shù)統(tǒng)稱。ADS是指平面電場寬視角核心技術(shù)-高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)（Advanced?Super?Dimension?Switch），其核心技術(shù)特性描述為：通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優(yōu)點。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率I-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。

如圖1所示為現(xiàn)階段常用的ADS底柵型陣列基板的器件結(jié)構(gòu)圖，其具體制備步驟包括：在基底上通過構(gòu)圖工藝，形成包括公共電極3的圖形；在完成上述步驟的基底1上，通過構(gòu)圖工藝形成包括薄膜晶體管柵極2和柵線21的圖形；在完成上述步驟的基底1上，形成柵極絕緣層4；在完成上述步驟的基底1上，通過構(gòu)圖工藝形成包括有源層6的圖形；在完成上述基底1上形成刻蝕阻擋層7，并形成源漏接觸區(qū)；在完成上述步驟的基底1上，通過構(gòu)圖工藝形成包括源極5-1、漏極5-2，以及數(shù)據(jù)線的圖形，其中源極5-1和漏極5-2與有源層接觸；在完成上述步驟的基底1上，形成鈍化層8；在完成上述步驟的基底1上，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極9的圖形。對于ADS型陣列基板的制作，使用較多的就是上述的5次光刻（Mask）工藝。但是發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于掩膜板造價昂貴，采用5次光刻（Mask）工藝制備陣列基板，工藝復(fù)雜，開發(fā)費用較高。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的陣列基板的生產(chǎn)成本較高的問題，提供一種工藝簡單的成本較低的陣列基板、顯示裝置。

解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括像素電極、公共電極、薄膜晶體管，其中，所述薄膜晶體管的源極和漏極下方設(shè)有與其重合的第一透明導(dǎo)電層，所述像素電極設(shè)于所述薄膜晶體管源、漏極所在層下方，且所述漏極下方的第一透明導(dǎo)電層與所述像素電極形成為一體，所述薄膜晶體管有源層覆蓋所述源、漏極并通過柵極絕緣層與柵極隔開，所述鈍化層設(shè)于所述柵極和所述像素電極上方，所述公共電極設(shè)于鈍化層上方；其中，

所述薄膜晶體管有源層與柵極絕緣層，以及柵極的圖形相同，所述鈍化層與公共電極的圖形相同。

優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線與所述薄膜晶體管的柵極連接，所述數(shù)據(jù)線與所述薄膜晶體管的源極連接，其中，所述柵線包括柵線本體和設(shè)于數(shù)據(jù)線上方并與柵線本體形成為一體的凸出部，且各個柵線的凸出部通過隔斷隔開。

優(yōu)選的是，所述薄膜晶體管為金屬氧化物薄膜晶體管、多晶硅薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管中任意一種。

解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實用新型的實施例1陣列基板的制備方法的第一次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖2的A-A方向在第一次構(gòu)圖工藝中的流程圖；

圖4為圖2的B-B方向在第一次構(gòu)圖工藝中的流程圖；

圖5為本實用新型的實施例1陣列基板的制備方法的第二次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖5的A-A方向在第二次構(gòu)圖工藝中的流程圖；

圖7為圖5的B-B方向在第二次構(gòu)圖工藝中的流程圖；

圖8為本實用新型的實施例1陣列基板的制備方法的第三次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖8的A-A方向在第三次構(gòu)圖工藝中的流程圖；

圖10為圖8的B-B方向在第三次構(gòu)圖工藝中的流程圖；以及，

圖11為本實用新型的實施1的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。