[實用新型]處理基板和半導體用復合晶片有效
| 申請號： | 201420153162.4 | 申請日： | 2014-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN204067306U | 公開（公告）日： | 2014-12-31 |
| 發明（設計）人： | 中西宏和;巖崎康范;高垣達朗;宮澤杉夫;井出晃啟 | 申請（專利權）人： | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人： | 李曉 |
| 地址： | 日本愛知縣名古*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 半導體 復合 晶片 | ||
1.一種半導體用復合晶片的處理基板，其特征在于，?
所述處理基板由多結晶透光性氧化鋁形成，所述處理基板的接合面的表面粗糙度R?a為6nm以下。?
2.如權利要求1所述的處理基板，其特征在于，彎曲為80μm以下。?
3.如權利要求1或2所述的處理基板，其特征在于，所述處理基板的波長200～250nm的前方全光線透過率比波長555nm的前方全光線透過率高。?
4.如權利要求1或2所述的處理基板，其特征在于，該處理基板具有切口。?
5.如權利要求1或2所述的處理基板，其特征在于，該處理基板具有定向平面。?
6.如權利要求1或2所述的處理基板，其特征在于，該處理基板為4英寸、6英寸或8英寸。?
7.如權利要求1～6中任一項所述的處理基板，其特征在于，所述處理基板的波長200～250nm的前方全光線透過率為80％以上。?
8.如權利要求1～7中任一項所述的處理基板，其特征在于，波長200～750nm的直線透過率為20％以下。?
9.如權利要求1～8中任一項所述的處理基板，其特征在于，所述多結晶透光性氧化鋁的平均粒子徑為20～40μm。?
10.如權利要求1～9中任一項所述的處理基板，其特征在于，該處理基板對RCA清洗所用的藥品具有抗耐性。?
11.一種半導體用復合晶片，其特征在于，包括：權利要求1～10中任一項所述的處理基板、和與所述處理基板的所述接合面直接接合或通過接合層與所述處理基板的所述接合面接合的供體基板。?
12.如權利要求11所述的復合晶片，其特征在于，所述供體基板由單結晶硅構成。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
