[實(shí)用新型]一種芯片中添加電容的分布結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420149627.9 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203800047U | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李曉駿 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安華芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡樂 |
| 地址： | 710055 陜西省西安*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 添加 電容 分布 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種芯片中添加電容的分布結(jié)構(gòu)，芯片上各個(gè)電路模塊之間的空缺位置分布設(shè)置有若干個(gè)電容；其特征在于：這些電路模塊根據(jù)工作頻率區(qū)分定義為高速電路和低速電路，根據(jù)工作功耗區(qū)分定義為高功耗電路和低功耗電路；若干個(gè)電容根據(jù)反應(yīng)速度區(qū)分定義為高速電容和低速電容，根據(jù)單位面積電容值區(qū)分定義為單位容值相對(duì)較大的電容和單位容值相對(duì)較小的電容；所述高速電容放置在緊鄰高速電路的周圍，單位容值相對(duì)較大的電容放置在緊鄰高功耗電路的周圍，其它電容放置在芯片上剩余的空缺位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片中添加電容的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的高速電路為延遲鎖相環(huán)電路和/或時(shí)鐘樹電路，所述的高功耗電路為I/O電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片中添加電容的分布結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的高速電容為N阱NMOS管電容，所述的單位容值相對(duì)較大的電容為堆棧電容和/或溝槽電容。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
