[實用新型]復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置

有效

• 申請號: 201420149015.X
• 申請日: 2014-03-31
• 公開（公告）號: CN203754613U
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 梁國慶;梁坤;霍天才
• 申請（專利權）人: 焦作市科力達科技有限公司
• 主分類號: C04B35/66
• 分類號: C04B35/66
• 代理公司: 鄭州大通專利商標代理有限公司 41111
• 代理人: 陳大通

技術領域

本實用新型涉及一種承燒板，尤其是一種復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置。

背景技術

在電子生產領域，常常會遇到需要燒制電子元件的情況，這類電子元件的燒制需要放置在特殊耐高溫的承燒板上來完成燒制，目前的承燒板大多也采用氧化鋯承燒板，例如中國專利：200820087600.6一種氧化鋯承燒板，這種承燒板在燒制過程中，電子元件外圍受熱很高，底部與承燒板接觸處溫度相對較低，受熱不均勻，直接影響電子元件的質量，另外，在燒制結束的時候，這種結構會造成散熱緩慢，需要等很久才能使承燒板溫度降到能夠下料，直接影響電子元件的燒制效率。

發明內容

本實用新型的發明目的在于克服現有技術存在的不足，實現一種受熱均勻，燒制效率高的復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置。

為實現上述發明目的，本實用新型的技術方案是：一種復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置，包括氧化鋁殼體和氧化硅內襯，所述氧化硅內襯固定于氧化鋁殼體內側，所述氧化鋁殼體和氧化硅內襯均為底面敞口且兩端壁底部均布開有排熱槽的六面體結構，所述氧化鋁殼體和氧化硅內襯側壁上的對應位置分別開設有連通氧化硅內襯內部和氧化鋁殼體外部的對流孔；所述氧化鋁殼體的頂部設置有氧化鋯復合層，所述氧化鋯復合層的頂部外表面上均布設置有凸塊，這樣設置的目的在于使電子元件受熱更加均勻。

所述排熱槽橫截面的形狀為三角形或者四邊形或者半圓形。

所述對流孔橫截面的形狀為四邊形或者圓形。

所述凸塊為棱柱或者半圓柱或者單獨的半圓球體。

本實用新型的有益效果：

1．本實用新型的復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置，底面敞口且兩端壁底部均勻開有排熱槽，所述氧化鋁殼體和氧化硅內襯側壁上的對應位置分別開設有對流孔，這樣就能使空氣在承燒裝置中形成對流，燒制過程中，更有利于熱量的均勻分布，在燒制結束后又能加速城燒裝置的冷卻，大大提高了承燒裝置的燒制質量和燒制效率。

2．本實用新型的復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置，頂部設置有氧化鋯復合層，所述氧化鋯復合層的頂部外表面上均布設置有凸塊，在燒制過程中電子元件支撐為點接觸，電子元件的受熱均勻度大大提高，直接提高了燒制的電子元件的質量，這樣的凸塊設計同樣可以在燒制結束的時候加速冷卻，縮短燒制時間。

附圖說明

圖1是復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置實施例1的結構示意圖；

圖2是圖1的左視結構示意圖；

圖3是復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置實施例2的結構示意圖。

參見圖1-圖3：1-氧化鋁殼體，2-氧化硅內襯，3-排熱槽，4-對流孔，5-氧化鋯復合層，6-凸塊。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體的實施方式對本實用新型的復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置做更加詳細的描述。

實施例1：

本實用新型的復合氧化鋯通氣高性能承燒裝置，包括氧化鋁殼體1和氧化硅內襯2，所述氧化硅內襯2固定于氧化鋁殼體1內側，所述氧化鋁殼體1和氧化硅內襯2均為底面敞口且兩端壁底部均布開有排熱槽3的六面體結構，所述氧化鋁殼體1和氧化硅內襯2側壁上的對應位置分別開設有連通氧化硅內襯2內部和氧化鋁殼體1外部的對流孔4；所述氧化鋁殼體1的頂部設置有氧化鋯復合層5，所述氧化鋯復合層5的頂部外表面上均布設置有凸塊6。

所述排熱槽3橫截面的形狀為等腰梯形，所述排熱槽3在承燒裝置的端面底部水平均布排列。

所述對流孔4橫截面的形狀為矩形。

所述凸塊6為在氧化鋯復合層5頂部外表面上均布排列的棱柱。

實施例2：

相同的不重述，不同的是：所述排熱槽3橫截面的形狀為半圓形，所述排熱槽3在承燒裝置的端面底部水平均布排列。

所述凸塊6為在氧化鋯復合層5頂部外表面上均布排列的半圓柱。