[實用新型]監控晶圓有效
| 申請號： | 201420148820.0 | 申請日： | 2014-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN203774262U | 公開（公告）日： | 2014-08-13 |
| 發明（設計）人： | 曹艷;李廣寧 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 監控 | ||
【權利要求書】：
1.一種監控晶圓，用于監控測量機臺的測量準確性，其特征在于，所述監控晶圓包括：?
襯底；?
待測金屬層，位于所述襯底的一側；?
抗氧化層，位于所述待測金屬層背離所述襯底的一側。?
2.如權利要求1所述的監控晶圓，其特征在于，所述襯底為硅襯底、藍寶石襯底或鍺襯底。?
3.如權利要求1所述的監控晶圓，其特征在于，所述待測金屬層為鈷薄膜或鋁薄膜。?
4.如權利要求1所述的監控晶圓，其特征在于，所述待測金屬層的厚度為?。
5.如權利要求1所述的監控晶圓，其特征在于，所述抗氧化層為氮化物抗氧化層或金屬抗氧化層。?
6.如權利要求5所述的監控晶圓，其特征在于，所述氮化物抗氧化層為氮化硅抗氧化層。?
7.如權利要求5所述的監控晶圓，其特征在于，所述金屬抗氧化層為銀抗氧化層或合金抗氧化層。?
8.如權利要求1所述的監控晶圓，其特征在于，所述抗氧化層的厚度為?。
9.如權利要求1-8中任意一項所述的監控晶圓，其特征在于，所述監控晶圓還包括過渡層，所述過渡層位于所述待測金屬層與所述襯底之間。?
10.如權利要求9所述的監控晶圓，其特征在于，所述過渡層為氧化物過渡層。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
