[實(shí)用新型]檢測裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420148714.2 | 申請日： | 2014-03-28 |
| 公開（公告）號： | CN203967042U | 公開（公告）日： | 2014-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李劍;蔣慶紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 檢測 裝置 | ||
1.一種檢測裝置，用于檢測晶圓邊緣的缺陷，其特征在于，所述檢測裝置包括圖像采集系統(tǒng)和圖像分析系統(tǒng)，所述圖像采集系統(tǒng)安裝于一晶圓臺上方，對準(zhǔn)所述晶圓臺上對應(yīng)于晶圓邊緣的部位；所述圖像采集系統(tǒng)用于采集晶圓邊緣部分的圖像；所述圖像分析系統(tǒng)用于接收圖像采集系統(tǒng)采集的圖像并判斷是否存在缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述晶圓臺為工藝中進(jìn)行晶圓槽口對準(zhǔn)過程的任一晶圓臺。
3.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置為可拆卸的部件組成。
4.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述圖像采集系統(tǒng)為CCD系統(tǒng)。
5.如權(quán)利要求4所述的檢測裝置，其特征在于，所述圖像分析系統(tǒng)通過比對標(biāo)準(zhǔn)圖像和CCD采集到的圖像判斷是否存在缺陷。
6.如權(quán)利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述圖像采集系統(tǒng)為激光掃描系統(tǒng)。
7.如權(quán)利要求6所述的檢測裝置，其特征在于，所述圖像分析系統(tǒng)通過分析激光的散射或干涉信號來判斷是否在晶圓的邊緣存在缺陷。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造（北京）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420148714.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
