[實(shí)用新型]新型倒裝高壓芯片外延片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420148165.9
• 申請(qǐng)日: 2014-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN203746856U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳起偉;施榮華;孫智江;羅建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海迪科（南通）光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/50;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體光電芯片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種倒裝高壓LED?芯片及其制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，在高壓LED芯片的各個(gè)獨(dú)立單元之間、以及芯片內(nèi)部p電極和n電極之間都需要絕緣工藝來避免漏電流產(chǎn)生。由于高壓芯片單元之間有高深寬比的GaN溝道，因而需要絕緣工藝具有極高的填洞能力，避免高深寬比下填空后留下空洞，此類空洞易造成光的反射，影響發(fā)光亮度，并帶有漏電風(fēng)險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于解決高壓倒裝芯片絕緣層工藝中，留下的空洞對(duì)發(fā)光亮度的影響，以及漏電的危險(xiǎn)。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供的一種新型倒裝高壓芯片外延片，包括多個(gè)LED芯片單元，各個(gè)LED芯片單元之間設(shè)置切割溝槽相隔離，每個(gè)所述的LED芯片單元包括一個(gè)獨(dú)立的LED芯片器件，該LED芯片器件包括依次設(shè)置的藍(lán)寶石襯底、n-GaN層、多層量子阱層、p-GaN層，所述的n-GaN層上形成有n型電極，所述的p-GaN層上形成有p型電極，外延片的頂部覆蓋有絕緣熒光層，所述的絕緣熒光層填充于切割溝槽內(nèi)、僅將用于與外部電連接的n型電極與p型電極露出。

作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的p-GaN層與p型電極之間設(shè)置有透明電極層。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一方面，提供了一種新型倒裝高壓芯片外延片，包括多個(gè)LED芯片單元，各個(gè)LED芯片單元之間設(shè)置切割溝槽相隔離，每個(gè)所述的LED芯片單元包括多個(gè)互連的LED芯片器件，各個(gè)LED芯片器件之間設(shè)置隔離溝槽相隔離，每個(gè)LED芯片器件包括依次設(shè)置的藍(lán)寶石襯底、n-GaN層、多層量子阱層、p-GaN層，所述的n-GaN層上形成有n型電極，所述的p-GaN層上形成有p型電極，各個(gè)LED芯片器件之間的n型電極、p型電極以預(yù)定連接方式通過互連線路相互連通，外延片的頂部覆蓋有絕緣熒光層，所述的絕緣熒光層填充于隔離溝槽與切割溝槽內(nèi)、僅將預(yù)留的與外部電連接的n型電極與p型電極露出。

作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的p-GaN層與p型電極之間設(shè)置有透明電極層。

作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述的絕緣熒光層覆蓋于互連線路上。

由于采用了以上技術(shù)方案，本實(shí)用新型采用可融入芯片工藝的發(fā)光薄膜作為絕緣層，其布局合理、結(jié)構(gòu)新穎，絕緣熒光層發(fā)光效率高、填洞能力強(qiáng)、平整度高、絕緣性能好。

附圖說明

圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的新型倒裝高壓芯片外延片的實(shí)施例一的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的新型倒裝高壓芯片外延片的實(shí)施例二的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1為藍(lán)寶石襯底，2為n-GaN層，3為多層量子阱層，4為p-GaN層，5為透明電極層，6為p型電極，7為熒光絕緣層，8為封裝基板電路（+代表正極，-代表負(fù)極），9為封裝基板，10為隔離溝槽，11為切割溝槽；12為p型電極。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

實(shí)施例一

圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的新型倒裝高壓芯片外延片的實(shí)施例一的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施的新型倒裝高壓芯片外延片包括多個(gè)LED芯片單元，各個(gè)LED芯片單元之間設(shè)置切割溝槽11相隔離，每個(gè)LED芯片單元包括一個(gè)獨(dú)立的LED芯片器件，該LED芯片器件包括依次設(shè)置的藍(lán)寶石襯底1、n-GaN層2、多層量子阱層3、p-GaN層4，n-GaN層2上形成有n型電極6，p-GaN層4上形成有p型電極12，p-GaN層4與p型電極12之間設(shè)置有透明電極層5。

可以看到，外延片的頂部整體覆蓋有絕緣熒光層7，絕緣熒光層7填充于切割溝槽11內(nèi)、僅將用于與外部電連接的n型電極6與p型電極12露出，封裝基板9上具有對(duì)應(yīng)的封裝基板電路8，其中+代表正極，-代表負(fù)極，n型電極6與p型電極12分別于封裝基板電路8的正負(fù)極相連接即可。

實(shí)施例二