[實用新型]具有功率限制功能的D類功放芯片和音頻播放設備有效
| 申請號: | 201420146333.0 | 申請日: | 2014-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN203775149U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發明(設計)人: | 左事君 | 申請(專利權)人: | 深圳創維-RGB電子有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/217 | 分類號: | H03F3/217 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 518052 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 功率 限制 功能 功放 芯片 音頻 播放 設備 | ||
1.一種具有功率限制功能的D類功放芯片,包括:
用于將輸入D類功放芯片的差分音頻信號放大,并與D類功放芯片內部產生的三角波信號比較輸出PWM信號的PWM調制模塊;
所述PWM調制模塊包括用于放大所述差分音頻信號的差分運算放大器;
其特征在于,所述D類功放芯片還包括:
用于限制差分運算放大器的輸出功率的功率限制模塊;
所述差分運算放大器的正相輸入端連接D類功放芯片的第一輸入端,差分運算放大器的反相輸入端連接D類功放芯片的第二輸入端,所述功率限制模塊的正輸出端連接所述差分運算放大器的正相輸出端,功率限制模塊的負輸出端連接所述差分運算放大器的反相輸出端。
2.根據權利要求1所述的具有功率限制功能的D類功放芯片,其特征在于,所述功率限制模塊包括:
用于產生一反比例電壓的反比電壓生成單元,所述反比例電壓與功率限制模塊的輸入電壓成反比;
用于限制差分運算放大器輸出的最低電平的箝位單元;
用于為所述箝位單元提供偏置電壓和生成箝位單元的柵極電壓的控制電壓生成單元;
所述反比電壓生成單元的輸入端連接D類功放芯片的第三輸入端、反比電壓生成單元的輸出端通過所述控制電壓生成單元連接所述箝位單元。
3.根據權利要求2所述的具有功率限制功能的D類功放芯片,其特征在于,所述反比電壓生成單元包括第一運算放大器、第二運算放大器、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻;
所述第一運算放大器的正相輸入端連接D類功放芯片的第三輸入端,第一運算放大器的反相輸入端連接第一運算放大器的輸出端,所述第一運算放大器的輸出端通過第三電阻連接第二運算放大器的反相輸入端;
所述第二運算放大器的正相輸入端通過第一電阻連接D類功放芯片的電源端、還通過第二電阻接地,所述第二運算放大器的反相輸入端通過第四電阻連接所述第二運算放大器的輸出端,所述第二運算放大器的輸出端為反比電壓生成單元的輸出端、連接控制電壓生成單元。
4.根據權利要求3所述的具有功率限制功能的D類功放芯片,其特征在于,所述第一運算放大器和第二運算放大器為箝位運算放大器。
5.根據權利要求2所述的具有功率限制功能的D類功放芯片,其特征在于,所述控制電壓生成單元包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第一電容和第五電阻;
所述第一MOS管的漏極連接偏置電壓供電端,第一MOS管的柵極連接第二MOS管的柵極和第三MOS管的柵極,第一MOS管的源極、第二MOS管的源極和第三MOS管的源極均接地;
所述第二MOS管的漏極連接第五MOS管的漏極和柵極、第六MOS管的柵極、第七MOS管的柵極和第八MOS管的柵極,所述第三MOS管的漏極連接反比電壓生成單元的輸出端和第四MOS管的源極;
所述第四MOS管的柵極連接第六MOS管的漏極,第四MOS管的漏極通過第五電阻連接第六MOS管的漏極、也通過第一電容接地、還連接所述箝位單元的柵極端;
所述第五MOS管的源極連接第六MOS管的源極、第七MOS管的源極和第八MOS管的源極;所述第七MOS管的漏極和第八MOS管的漏極連接所述箝位單元的漏極端。
6.根據權利要求5所述的具有功率限制功能的D類功放芯片,其特征在于,所述箝位單元包括第九MOS管和第十MOS管,所述第九MOS管的柵極為箝位單元柵極端、連接所述第四MOS管的漏極和第十MOS管的柵極,所述第九MOS管的漏極連接第七MOS管的漏極,第九MOS管的源極連接所述差分運算放大器的正相輸出端,所述第十MOS管的漏極連接第八MOS管的漏極,第十MOS管的源極連接所述差分運算放大器的反相輸出端。
7.根據權利要求6所述的具有功率限制功能的D類功放芯片,其特征在于,所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第九MOS管和第十MOS管為N溝道MOS管,第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管為P溝道MOS管。
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