[實用新型]一種掩膜版有效
| 申請號: | 201420142375.7 | 申請日: | 2014-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN203882089U | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 張家清;盛科;黃守銀;黃秋蓉;王海宏;焦峰 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/52 | 分類號: | G03F1/52 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省南京市仙林大道科*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 掩膜版 | ||
技術領域
本實用新型涉及液晶顯示器制造領域,尤其涉及一種掩膜版。?
背景技術
液晶面板包括彩膜基板、陣列基板以及位于兩者間的液晶組成。在液晶面板的制造過程中,彩膜基板或是陣列基板上涂布一圈封框膠,使用液晶滴下裝置在封框膠圍成的區域內滴下適量的液晶,在真空環境中將另一枚基板與之貼合,使用紫外光照射和熱硬化使封框膠硬化固定,防止彩膜基板和陣列基板因受外力而發生偏移錯位,而引起對位精度的下降,影響顯示。?
在用紫外光固化封框膠的工程中,為防止紫外光照射液晶面板的顯示區,需要用掩膜版對顯示區進行遮光,掩模版只在對應封框膠圖形的區域開口,圖1為常用的掩模板的平面示意圖。掩模版100是由金屬絲網版101和粘貼于金屬絲網版101下面的遮光金屬片102構成,遮光金屬一般可以是不銹鋼、鉻、鋁等金屬。圖2為圖1中A-A處的剖視圖。圖3為使用現有技術掩膜版紫外光固化封框膠示意圖。在工程中,為了防止紫外光斜射入顯示區,掩模版一般和貼合的基板距離僅有幾毫米,并且由于絲網的厚度較大,遮光金屬片是做在靠近基板一側。膠水長時間暴露在紫外光的照射下,發生光老化和熱老化,并且紫外光也會在金屬片表面反射或吸收,產生的熱被膠水吸收,加速膠水老化,當膠水涂布較薄或老化到黏著力不足以抵消遮光金屬片的重力和內部應力時,遮光金屬片就會發生脫落或翹曲變形,由于掩模版和玻璃基板距離很近,一旦翹曲,就會刮傷玻璃基板導致液晶顯示器件制造良率下降和品質惡化。?
實用新型內容
為解決上述問題,本實用新型提供一種具有反射紫外光的反射膜或反射金屬片的掩膜版,該掩膜版可以反射掉遮光金屬片的膠水上的紫外光,避免了膠水的老化帶來的金屬脫落翹曲損壞液晶面板的問題,提高了顯示器件的良率和品質。?
本實用新型提供一種掩膜版,該掩膜版包括金屬絲網版和粘貼于所述的金屬絲網版下面的遮光金屬片;在所述的金屬絲網版上設有用于反射紫外光的反射膜或反射金屬片,所述的反射膜或反射金屬片和所述的遮光金屬片分別位于金屬絲網版的兩側。所述的反射膜或反射金屬片尺寸比遮光金屬片小,反射膜或反射金屬片與遮光金屬片相鄰兩邊的間距為500um至2000um,所述的反射膜或反射金屬片用膠水粘在所述的金屬絲網版上,所述反射膜可以是涂覆有紫外光反射層的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜,反射金屬片可以采用不銹鋼、鉻、鋁等金屬。?
本實用新型通過提供一種具有反射紫外光的反射膜或反射金屬片的掩膜版,可以反射掉遮光金屬片的膠水上的紫外光,避免了膠水的老化帶來的金屬脫落翹曲損壞液晶面板的問題,提高了顯示器件的良率和品質。?
附圖說明
圖1為現有技術掩膜版的俯視圖;?
圖2為圖1中A-A處的剖視圖;?
圖3為使用現有技術掩膜版紫外光固化封框膠示意圖;?
圖4為本實用新型掩膜版的俯視圖;?
圖5為圖3中B-B處的剖視圖;?
圖6為使用本實用新型掩膜版封框膠固化示意圖;?
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例,進一步闡明本實用新型,應理解這些實施例僅用于說明本實用新型而不用于限制本實用新型的范圍,在閱讀了本發明之后,本領域技術人員對本實用新型的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。?
圖3為使用現有技術掩膜版紫外光固化封框膠示意圖,液晶面板制造過程中,下基板201上涂布一圈封框膠204,使用液晶滴下裝置在封框膠204圍成的區域內滴下適量的液晶203,在真空環境中將上基板201與下基板201貼合,使用紫外光固化封框膠204,為防止紫外光照射液晶面板的顯示區,需要使用掩膜版100的遮光金屬102對顯示區進行遮光,掩模版100只在對應封框膠204圖形?的區域開口。紫外光固化封框膠一般有兩種方式,一種是彩膜基板在上側,陣列基板在下側;一種是陣列基板在上側,彩膜基板在下側。?
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





