[實用新型]一種濕法腐蝕碳化硅晶片的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420142301.3
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN203768489U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設計）人: 張士祥;高玉強;柏文文;張婉君;高輝;張健
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進材料科技有限公司
• 主分類號: C30B33/10
• 分類號: C30B33/10;C30B29/36
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 苗峻

1.一種濕法腐蝕碳化硅晶片的裝置，其特征在于，在爐膛底部設置有坩堝(3)，坩堝(3)中存放腐蝕劑，在坩堝底部設置有鎳網(wǎng)(2)，碳化硅晶片放置在鎳網(wǎng)(2)上；坩堝(3)的外部周圍設置有保溫層(9)，保溫層(9)的內(nèi)部設置有加熱層(8)；熱電偶(6)從爐膛的外部，依次穿過加熱層(8)、保溫層(9)，從爐膛的一側穿入坩堝(3)中，熱電偶(6)的末端插入到坩堝中的腐蝕劑內(nèi)；在爐膛的頂端開口處，設置有保護蓋(4)；所述的，在熱電偶(6)的外側包裹有熱電偶保護圈(5)。