[實用新型]揚聲器的振膜

有效

• 申請號: 201420142187.4
• 申請日: 2014-03-27
• 公開（公告）號: CN203813948U
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 李秉彧;汪德武
• 申請（專利權）人: 富祐鴻科技股份有限公司
• 主分類號: H04R7/12
• 分類號: H04R7/12
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所 11276
• 代理人: 李郁;劉云貴

1.一種揚聲器的振膜，其包含：

振膜基部，其具有兩個高分子層體及一個硅膠層體，所述硅膠層體層疊于所述高分子層體之間，所述振膜基部由內而外分為振膜基部中心部及振膜基部周圍部；以及

振膜中心部，其設置于所述振膜基部中心部。

2.根據權利要求1所述的揚聲器的振膜，其中所述振膜基部周圍部呈下凹弧狀或上凹弧狀。

3.根據權利要求1所述的揚聲器的振膜，其中所述振膜中心部設置于所述振膜基部中心部的一側，或所述振膜基部中心部呈中空狀，所述振膜中心部設置于所述振膜基部中心部內且連接所述振膜基部周圍部。

4.根據權利要求2所述的揚聲器的振膜，其中所述振膜中心部設置于所述振膜基部中心部的一側，或所述振膜基部中心部呈中空狀，所述振膜中心部設置于所述振膜基部中心部內且連接所述振膜基部周圍部。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的揚聲器的振膜，其中所述高分子層體分別為聚醚醚酮層體，所述高分子層體的厚度分別為3微米至20微米，所述硅膠層體的厚度為10微米至40微米。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的揚聲器的振膜，其中所述高分子層體分別為聚醚醚酮層體及聚胺酯層體，所述高分子層體的厚度分別為3微米至20微米，所述硅膠層體的厚度為10微米至40微米。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的揚聲器的振膜，其中所述高分子層體分別為聚醚醚酮層體及聚芳酯層體，所述高分子層體的厚度分別為6微米至20微米，所述硅膠層體的厚度為10微米至40微米。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的揚聲器的振膜，其中所述高分子層體分別為聚乙烯亞胺層體及聚對苯二甲酸乙二醇酯層體，所述高分子層體的厚度分別為3微米至20微米，所述硅膠層體的厚度為10微米至40微米。

9.根據權利要求1-4中任一項所述的揚聲器的振膜，其中所述高分子層體分別為聚胺酯層體及聚萘二甲酸乙二醇酯層體，所述高分子層體的厚度分別為3微米至20微米，所述硅膠層體的厚度為10微米至40微米。