[實(shí)用新型]用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420141763.3 | 申請日: | 2014-03-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203794984U | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘龍;劉東;彭文芳;常青 | 申請(專利權(quán))人: | 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/44 | 分類號(hào): | C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陶金龍 |
| 地址: | 100016 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 原子 薄膜 沉積 反應(yīng) 裝置 | ||
1.一種用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,包括:反應(yīng)沉積腔、反應(yīng)排空腔和真空系統(tǒng);所述的反應(yīng)沉積腔設(shè)有菱形中空腔并與所述反應(yīng)排空腔貫通,所述反應(yīng)排空腔與所述真空系統(tǒng)連接,所述真空系統(tǒng)用于對所述反應(yīng)排空腔進(jìn)行抽氣,進(jìn)而使所述反應(yīng)沉積腔處于真空狀態(tài);
其中,所述反應(yīng)沉積腔內(nèi)包括硅片承載單元、加熱單元、前驅(qū)物進(jìn)料單元、吹掃氣體進(jìn)氣單元;
所述硅片承載單元設(shè)有若干個(gè)硅片承載位且所述硅片承載單元的底部設(shè)有若干通氣孔,所述硅片承載單元上設(shè)有遮擋罩用于密封所述反應(yīng)沉積腔;
所述加熱單元設(shè)在所述反應(yīng)沉積腔的四個(gè)腔壁外側(cè),用于對所述反應(yīng)沉積腔進(jìn)行加熱;
所述前驅(qū)物進(jìn)料單元用于對所述硅片承載單元上的硅片提供氣態(tài)反應(yīng)前驅(qū)物或?qū)λ龇磻?yīng)沉積腔內(nèi)的氣態(tài)反應(yīng)前驅(qū)物進(jìn)行吹掃;
所述吹掃氣體進(jìn)氣單元用于對所述反應(yīng)沉積腔與所述硅片承載單元間隙中的氣態(tài)反應(yīng)前驅(qū)物進(jìn)行吹掃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述反應(yīng)沉積腔四腔壁的壁厚相等且所述反應(yīng)排空腔的左右腔壁上均設(shè)有所述加熱單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述反應(yīng)沉積腔上頂角的兩腔壁通過圓弧過渡連接,所述反應(yīng)沉積腔的上頂角為70°~120°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述反應(yīng)沉積腔內(nèi)還包括加熱氣體進(jìn)氣單元,用于噴射熱氣體使所述硅片承載單元及硅片加熱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述前驅(qū)物進(jìn)料單元、所述加熱氣體進(jìn)氣單元及所述吹掃氣體進(jìn)氣單元均為設(shè)有若干出氣孔的管狀體且相對于所述反應(yīng)沉積腔可旋轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述前驅(qū)物進(jìn)料單元的出氣孔方向與其相鄰的腔壁的夾角為30°~330°,所述加熱氣體進(jìn)氣單元的出氣孔方向與其相鄰的腔壁的夾角為30°~330°,所述吹掃氣體進(jìn)氣單元的出氣孔方向與其相鄰的腔壁的夾角為0°~180°。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述前驅(qū)物進(jìn)料單元及所述加熱氣體進(jìn)氣單元上的出氣孔在管狀體上均勻分布且出氣孔的分布范圍覆蓋各硅片,使出氣孔內(nèi)的氣體可均勻的噴射至各硅片表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述反應(yīng)排空腔設(shè)有橫截面為圓形的封閉腔,所述真空系統(tǒng)包括真空管路及真空泵,真空泵通過真空管路連接至所述反應(yīng)排空腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于原子層薄膜沉積的反應(yīng)裝置,其特征在于,所述反應(yīng)沉積腔下側(cè)中心位置處開設(shè)豎直向下的長方孔,且長方孔與所述反應(yīng)排空腔的圓形封閉腔相交于長方孔的側(cè)壁,所述長方孔連通所述反應(yīng)沉積腔與所述反應(yīng)排空腔。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





