[實(shí)用新型]一種互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420141576.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203774313U | 公開(公告)日: | 2014-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李森生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/544 | 分類號(hào): | H01L23/544;G01R31/00;G01R31/26 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 互連 金屬 電容 測(cè)試 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于,所述互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu)至少包括:?
由下而上依次疊放并由絕緣介質(zhì)彼此相隔的第一至第N金屬層;其中,N為整數(shù),且2≤N≤6;所述每一金屬層分別設(shè)有若干組電容器和第一至第N焊墊;?
所述第一至第N金屬層中第M金屬層的N-M組電容器分別與所述第M+1至第N金屬層中每一金屬層的其中一組電容器通過彼此上、下極板對(duì)應(yīng)連接構(gòu)成的并聯(lián)電容器;所述M為整數(shù),且1≤M≤N-1;?
所述第一金屬層的第一至第N焊墊分別與所述第二至第N金屬層中每一金屬層的所述第一至第N焊墊一一對(duì)應(yīng)串聯(lián)形成的第一至第N串聯(lián)焊墊;?
所述同一并聯(lián)電容器中,構(gòu)成該并聯(lián)電容器的所述第S金屬層的電容器的上極板連接于該金屬層的所述第S焊墊;構(gòu)成該并聯(lián)電容器的所述第T金屬層的電容器的下極板連接于該金屬層的第T焊墊;所述S、T為整數(shù),且1≤S<T≤N。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:所述電容器為指狀電容器;所述指狀電容器的上、下極板分別由條形金屬以及連接于該條形金屬同側(cè)且相互并行排列的若干金屬條構(gòu)成;所述上極板與下極板的每個(gè)金屬條彼此相互穿插且不接觸。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一至第N串聯(lián)焊墊中構(gòu)成每一串聯(lián)焊墊的每一焊墊的水平投影重合。?
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第一至第N串聯(lián)焊墊的水平投影呈同一列分布。?
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:構(gòu)成所述每個(gè)并聯(lián)電容器的所述指狀電容器的水平投影重合;處于同一所述金屬層且構(gòu)成所述不同并聯(lián)電容器的所述指狀電容器在該金屬層平面呈同一行分布。?
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:所述按行分布于不同金屬層的指狀電容器,行與行之間的水平投影呈并行排列。?
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:所述并行排列的行與行之間的距離相等。?
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:處于同一行且構(gòu)成所述不同并聯(lián)電容器的所述指狀電容器彼此間距相等。?
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:按同一列分布的所述第一至第N串聯(lián)焊墊的水平投影分別對(duì)應(yīng)地與所述按行分布的指狀電容器的水平投影處于同一行。?
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連金屬電容測(cè)試結(jié)構(gòu),其特征在于:構(gòu)成每個(gè)并聯(lián)電容器的所述指狀電容器所在金屬層之間的其他金屬層分別設(shè)有水平投影與該并聯(lián)電容器水平投影重合的所述指狀電容器,該指狀電容器并聯(lián)于該并聯(lián)電容器。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司,未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420141576.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
- Android設(shè)備的測(cè)試方法及系統(tǒng)
- 一種工廠測(cè)試方法、系統(tǒng)、測(cè)試終端及被測(cè)試終端
- 一種軟件測(cè)試的方法、裝置及電子設(shè)備
- 測(cè)試方法、測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 測(cè)試裝置及測(cè)試系統(tǒng)
- 測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)
- 一種數(shù)控切削指令運(yùn)行軟件測(cè)試系統(tǒng)及方法





