[實用新型]大功率半導體元件貼片封裝結構有效
| 申請號： | 201420140737.9 | 申請日： | 2014-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN203882992U | 公開（公告）日： | 2014-10-15 |
| 發明（設計）人： | 周云福;舒魏;王祖江 | 申請（專利權）人： | 廣東百圳君耀電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 周詳 |
| 地址： | 523808 廣東省東莞市松山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大功率 半導體 元件 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種大功率半導體元件貼片封裝結構，其特征在于：半導體元件放置于一帶開口的容腔內，第一引腳和第二引腳分別與所述半導體元件電連接且分別延伸至所述容腔的開口的上方，所述第一引腳和所述第二引腳互不相連接。
2.如權利要求1所述的大功率半導體元件貼片封裝結構，其特征在于：所述半導體元件通過環氧樹脂密封在所述容腔內。
3.如權利要求1所述的大功率半導體元件貼片封裝結構，其特征在于：所述第一引腳和所述第二引腳延伸到所述容腔外的部分處于同一平面上。
4.如權利要求1所述的大功率半導體元件貼片封裝結構，其特征在于：所述的半導體元件包括一個以上的半導體芯片，半導體芯片為硅材料芯片的瞬態抑制二極管TVS?Diodes、硅雪崩二極管ABD、晶閘體抑制管TSS或為金屬氧化物材料芯片的壓敏電阻MOV。
5.如權利要求4所述的大功率半導體元件貼片封裝結構，其特征在于：所述半導體芯片通過焊料或導熱電極材料組合而成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣東百圳君耀電子有限公司，未經廣東百圳君耀電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420140737.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種白光LED封裝結構
- 下一篇：銅釘振動篩模具氣動固定裝置
