[實用新型]雙晶縱波斜探頭

有效

• 申請號: 201420138836.3
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN203838120U
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 周南岐;王鉦清
• 申請（專利權）人: 常州市常超電子研究所有限公司
• 主分類號: G01N29/24
• 分類號: G01N29/24
• 代理公司: 常州市英諾創信專利代理事務所(普通合伙) 32258
• 代理人: 王美華

技術領域

本實用新型涉及超聲波探頭技術領域，尤其涉及一種雙晶縱波斜探頭。

背景技術

為了確保超聲波檢測的可靠性，選擇良好的探頭是關鍵。雙晶探頭的結構是兩個單探頭的組合，一個用于發射一個用于接收，發射電脈沖不進入接收電路，因此不受探傷儀器放大器的阻塞影響，可以探測近表面缺陷。收發探頭都有各自的延遲塊，而且兩個延遲塊的聲束入射平面均帶一傾角，傾角的大小則取決于要探測區域距探測面的深度。

雙晶探頭有一個聲能集中區，利用這一特點，可提高須探測區內的缺陷探測靈敏度。探頭的晶片對聲波傳輸有極大的影響，由于晶片的聲阻抗和延遲塊的聲阻抗差別較大，會影響探頭檢測的精度，影響測量效果，因此需要解決該問題。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是：為了提高檢測精度，本實用新型提供一種雙晶縱波斜探頭。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種雙晶縱波斜探頭，包括屏蔽外殼，屏蔽外殼內并排設置有左楔塊和右楔塊，所述的左楔塊和右楔塊之間設置有隔聲層，左楔塊和右楔塊的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊和右楔塊的上表面上分別設置有左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層，左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層上分別設置有左晶片和右晶片，左晶片和右晶片的底部還設置有金箔，屏蔽外殼上還設置有分別與左晶片和右晶片對應的發射探頭和接收探頭，所述發射探頭內的芯線柱引出有與左晶片底部金箔連接的第一導線，發射探頭的外殼引出有與左晶片上表面連接的第二導線，所述的第一導線和第二導線之間并聯有左電感，所述接收探頭內的芯線柱引出有與右晶片底部金箔連接的第三導線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連接的第四導線，所述的第三導線和第四導線之間并聯有右電感。

為了進一步減少聲能的衰減，所述的左晶片和右晶片均為壓電陶瓷晶片，壓電陶瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷晶片陣列組成。

本實用新型的有益效果是，現有的超聲經不同阻抗界面傳播，將產生反射，會增加能量損耗并影響分辨力，因此，本實用新型的雙晶縱波斜探頭，通過增加聲阻抗匹配層來實現探頭與負載之間的匹配，提高探頭檢測精度。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結構示意圖。

圖2是圖1中除去探頭和電感以及屏蔽外殼上表面后的俯視圖。

圖3是本實用新型左晶片或右晶片的俯視圖。

圖中：1、屏蔽外殼，2、左楔塊，3、右楔塊，4、隔聲層，5、左聲阻抗匹配層，6、右聲阻抗匹配層，7、左晶片，8、右晶片，9、發射探頭，91、芯線柱，92、第一導線，93、第二導線，10、左電感。

具體實施方式

現在結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。

如圖1、2所示，是本實用新型的實施例，一種雙晶縱波斜探頭，包括屏蔽外殼1，屏蔽外殼1內并排設置有左楔塊2和右楔塊3，左楔塊2和右楔塊3之間設置有隔聲層4，左楔塊2和右楔塊3的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊2和右楔塊3的上表面上分別設置有左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6，左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6上分別設置有左晶片7和右晶片8，左晶片7和右晶片8的底部還設置有金箔，屏蔽外殼1上還設置有分別與左晶片7和右晶片8對應的發射探頭9和接收探頭，發射探頭9內的芯線柱91引出有與左晶片7底部金箔連接的第一導線92，發射探頭9的外殼引出有與左晶片7上表面連接的第二導線93，第一導線92和第二導線93之間并聯有左電感10，接收探頭內的芯線柱引出有與右晶片底部金箔連接的第三導線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連接的第四導線，第三導線和第四導線之間并聯有右電感。

左晶片7和右晶片8均為壓電陶瓷晶片，壓電陶瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷晶片陣列組成，小壓電陶瓷晶片之間通過粘接材料粘接復合，如圖3所示。左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6混合有環氧樹脂、鎢粉和/或鋯粉材料。

以上述依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的范圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性范圍并不局限于說明書上的內容，必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。