[實用新型]一種薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420137408.9 | 申請日： | 2014-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN203746864U | 公開（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳俊緯;李禹奉 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管，包括：柵電極、柵絕緣層、有源層、源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極形成于所述有源層的上方，且分別位于所述有源層的相對的第一端部和第二端部；其特征在于，所述漏電極完全覆蓋住所述有源層的第二端部。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏電極為矩形。
3.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏電極包括：
彼此相連的覆蓋電極和接觸電極；其中，
所述覆蓋電極，完全覆蓋住所述有源層的第二端部，所述覆蓋電極的縱向寬度大于或等于所述有源層的縱向寬度；
所述接觸電極，用于與像素電極接觸，所述接觸電極的縱向寬度大于所述覆蓋電極的縱向寬度，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
4.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏電極包括：
覆蓋電極、連接電極和接觸電極，所述連接電極位于所述覆蓋電極和所述接觸電極之間，分別與所述覆蓋電極和所述接觸電極相連；
所述覆蓋電極，完全覆蓋住所述有源層的第二端部；
所述連接電極，至少部分與所述柵電極重疊，所述連接電極的縱向寬度小于所述覆蓋電極的縱向寬度，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向；
所述接觸電極，用于與像素電極接觸。
5.根據(jù)權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述覆蓋電極和所述連接電極呈T型或L型連接。
6.根據(jù)權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述覆蓋電極為矩形。
7.根據(jù)權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述覆蓋電極呈凹字型，所述覆蓋電極的凹槽的開口朝向所述源電極。
8.根據(jù)權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述接觸電極的縱向寬度大于或等于所述連接電極的縱向寬度。
9.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極包括：第一電極、第二電極和第三電極，所述第二電極位于所述第一電極和所述第三電極之間，分別與所述第一電極和所述第三電極相連；
所述第一電極，完全覆蓋住所述有源層的第一端部；
所述第二電極，至少部分與所述柵電極重疊，所述第二電極的縱向寬度小于所述第一電極和所述第三電極的縱向寬度，所述縱向是與所述有源層的第一端部和第二端部的連線所在方向垂直的方向。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的薄膜晶體管。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求10所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
