[實用新型]一種采用倒裝LED芯片的LED光源有效
| 申請號: | 201420135909.3 | 申請日: | 2014-03-24 |
| 公開(公告)號: | CN203826424U | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 劉天明;張沛 | 申請(專利權)人: | 木林森股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 張海文 |
| 地址: | 528400 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 采用 倒裝 led 芯片 光源 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種LED光源,特別是一種采用倒裝LED芯片的LED光源。
背景技術
隨著LED市場爆發的日益臨近,LED封裝技術的研發競爭也十分激烈。目前GaN基LED封裝主要為正裝結構,當前較為成熟的是III族氮化物氮化鎵用藍寶石材料作為襯底,由于藍寶石襯底的絕緣性,所以普通的GaN?基LED?采用正裝結構。正裝結構有源區發出的光經由P?型GaN區和透明電極出射。該結構簡單,制作工藝相對成熟。然而正裝結構LED有兩個明顯的缺點,首先正裝結構LED?p、n?電極在LED?的同一側,電流須橫向流過n-GaN?層,導致電流擁擠,局部發熱量高,限制了驅動電流;其次,由于藍寶石襯底的導熱性差,嚴重的阻礙了熱量的散失,導致LED光源導熱速度慢,且發光效率不理想,影響產品壽命。
發明內容
為了克服現有技術的不足,本實用新型提供一種采用倒裝LED芯片的LED光源。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:
一種采用倒裝LED芯片的LED光源,包括導熱基板、及若干焊接至導熱基板上的LED芯片,所述LED芯片為一倒裝結構,其包括襯底、設置在襯底下方的n-GaN層、設置在n-GaN層下方一側的p-GaN層、設置在n-GaN層下方另一側的n電極、設置在p-GaN層下方的p電極及基片,所述基片上設置有正極觸點和負極觸點,所述p電極和n電極分別通過導電凸點連接至正極觸點和負極觸點,且所述襯底、n-GaN層、p-GaN層、n電極、p電極由封裝膠體封裝。
所述封裝膠體上方設置有熒光粉層。
所述熒光粉層通過噴涂設置在封裝膠體上方。
所述基片上方設置有反光層。
所述反光層為鍍銀反光層。
所述襯底為藍寶石襯底。
本實用新型的有益效果是:一種采用倒裝LED芯片的LED光源,包括導熱基板、及若干焊接至導熱基板上的LED芯片,所述LED芯片為一倒裝結構,其包括襯底、設置在襯底下方的n-GaN層、設置在n-GaN層下方一側的p-GaN層、設置在n-GaN層下方另一側的n電極、設置在p-GaN層下方的p電極及基片,所述基片上設置有正極觸點和負極觸點,所述p電極和n電極分別通過導電凸點連接至正極觸點和負極觸點,且所述襯底、n-GaN層、p-GaN層、n電極、p電極由封裝膠體封裝,LED芯片焊接至導熱基板上時,直接通過錫膏焊接即可,大大縮短了光源的傳熱距離,提升了產品的散熱性能,提升產品質量、壽命,且由于采用襯底、n-GaN層、p-GaN層、n電極、p電極倒裝芯片結構做光源,無需通過引線焊接導電,LED出光不用受n電極、p電極及電極引線的遮擋,大大提高了LED產品的光效。??
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
圖1是本實用新型LED芯片的結構示意圖。
具體實施方式
參照圖1,圖1是本實用新型一個具體實施例的倒裝LED芯片的結構示意圖,如圖所示,一種采用倒裝LED芯片的LED光源,包括導熱基板、及若干焊接至導熱基板上的LED芯片,所述LED芯片為一倒裝結構,其包括藍寶石襯底1、設置在襯底1下方的n-GaN層2、設置在n-GaN層2下方一側的p-GaN層3、設置在n-GaN層2下方另一側的n電極4、設置在p-GaN層3下方的p電極5及基片6,所述基片6上設置有正極觸點61和負極觸點62,所述p電極5和n電極4分別通過導電凸點7連接至正極觸點61和負極觸點62,且所述襯底1、n-GaN層2、p-GaN層3、n電極4、p電極5由封裝膠體8封裝,并在封裝膠體8上方通過噴涂設置熒光粉層81,在所述基片6上方設置有鍍銀反光層63。
LED芯片通電時,電流由p電極5輸入依次經過p-GaN層3、n-GaN層2再由n電極4輸出,在p-GaN層3、n-GaN層2形成P/N結發光區,光線由P/N結發光區發出,其中向上的光線直接經過藍寶石襯底1、封裝膠體8再由熒光粉層81顯色后發出,由于LED芯片無需通過引線/金線對n電極4、p電極5焊接導電,并且n電極4、p電極5設置在P/N結下方,使得LED出光不用受n電極、p電極及電極引線的遮擋,大大提高了LED產品的光效,而由P/N結發光區發出的光線由鍍銀反光層63反射后向上發出,進一步提高LED的光效,減少光線的遮擋損耗。
而LED芯片焊接至導熱基板上時,直接通過錫膏將基片6上的正極觸點61和負極觸點62焊接至導熱基板的電路正負極上即可,大大縮短了光源的傳熱距離,提升了產品的散熱性能,提升產品質量、壽命,
以上對本實用新型的較佳實施進行了具體說明,當然,本實用新型還可以采用與上述實施方式不同的形式,熟悉本領域的技術人員在不違背本發明精神的前提下所作的等同的變換或相應的改動,都應該屬于本實用新型的保護范圍內。
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