[實用新型]一種MEMS 晶圓輔助切割的對準裝置有效
| 申請號： | 201420128522.5 | 申請日： | 2014-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN203739023U | 公開（公告）日： | 2014-07-30 |
| 發明（設計）人： | 鄭超;王偉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | B28D5/00 | 分類號： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興區大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 輔助 切割 對準 裝置 | ||
1.一種MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于，所述MEMS輔助切割的對準裝置至少包括一對準板，所述對準板包括外圍區和中心區，其中，所述外圍區設置有用于對準待切割晶圓邊緣刻痕的標記和用于對準晶圓切割道的刻度線；所述中心區上放置待切割晶圓。
2.根據權利要求1所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述晶圓通過粘結層固定于所述對準板的中心區。
3.根據權利要求2所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述粘結層為膠帶。
4.根據權利要求1所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述刻度線包括長刻度線和短刻度線。
5.根據權利要求4所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述長刻度線與短刻度線等距間隔排列。
6.根據權利要求5所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述長刻度線與短刻度線間的間距為1.5～2.5mm。
7.根據權利要求1所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述外圍區的標記與待切割晶圓邊緣的刻痕形狀一致。
8.根據權利要求7所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述標記與晶圓邊緣的刻痕均為V字形。
9.根據權利要求1所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述外圍區的標記與待切割晶圓邊緣對準時偏移10～15μm。
10.根據權利要求1所述的MEMS晶圓輔助切割的對準裝置，其特征在于：所述外圍區還包括將對準板固定放置在切割機臺上的缺口。
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