[實用新型]一種大容量現場數據非易失存儲讀寫器有效
| 申請號: | 201420123880.7 | 申請日: | 2014-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN203786720U | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 黃松林;王慶順;任傳富;王建明 | 申請(專利權)人: | 沈陽大學 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 沈陽東大知識產權代理有限公司 21109 | 代理人: | 戚羽 |
| 地址: | 110044 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 容量 現場 數據 非易失 存儲 讀寫 | ||
技術領域
本實用新型涉及非易失存儲器讀寫領域,具體涉及大容量現場數據非易失存儲讀寫器。
背景技術
在智能化電子產品的設計過程中,經常會遇到一些重要數據的非易失性保存問題,對大量現場數據的高效安全的存儲和獲取成為信息系統最重要的功能之一。目前在數據存儲領域主要有以下幾種方式:
一種是采用ROM存儲方式。ROM分為PROM和EPROM兩種,兩者區別是,PROM是一次性的,也就是數據灌入后就無法修改了,而EPROM可以多次寫入,但必須通過專用設備寫入,存儲數據較麻煩。
第二種是EEPROM存儲方式。該方式可以通過電擦除的方式多次存儲數據,但在使用過程中,EEPROM內部的數據只能讀出,不可寫入,寫入數據需要專用的下載接口,無法實現對現場數據進行隨意讀寫。
第三種是FLASH存儲方式。該方式和EEPROM差不多,只是存儲的容量大,對數據的寫入也同樣需要專用的下載方式才能完成,無法對數據隨意讀寫。
第四種是RAM存儲方式。該方式對其內部存儲地址可以進行隨意讀寫,而且速度很快,唯一不足的是一旦掉電,其內部所存儲的數據也丟失了。
現有技術實現大容量非易失存儲采用的RAM加電池的方法,一旦電池沒電了,數據也就消失了,因此具有很大的不穩定性和風險性。
發明內容
本實用新型的目的在于提供一種大容量現場數據非易失存儲讀寫器,該讀寫器可以實現對存儲器內部單元進行快速隨機讀寫,系統無需借助電池保持數據,掉電后所保存的數據不丟失,適合大容量現場數據的快速隨機讀寫與保持。
為了達到上述目的,本實用新型的技術方案如下:
所述的一種大容量現場數據非易失存儲讀寫器,包括一臺主機、一條SPI數據讀寫電纜和一條電源電纜。主機有一個長方形扁平外殼,主機外殼的一個側面設有SPI數據讀寫插座,該SPI數據讀寫插座與SPI數據讀寫電纜相連;主機另一個側面設有電源插座,該電源插座與電源電纜相連;主機外殼內部裝有一塊電路板,該電路板的電路由DSP數據處理微控制器、多路模擬切換開關、SPI串行接口總線、64KB×8非易失存儲器芯片組所組成。電路板上的連接器J1與主機外殼的SPI數據讀寫插座相連,電路板的VCC以及GND與主機外殼的電源插座相連。
所述的DSP數據處理微控制器即DSP控制芯片U9,DSP控制芯片U9的管腳35與多路切換模擬開關器件U10的管腳3相連,DSP控制芯片U9的管腳92與多路切換模擬開關器件U10的管腳11相連,DSP控制芯片U9的管腳93與多路切換模擬開關器件U10的管腳10相連,DSP控制芯片U9的管腳94與多路切換模擬開關器件U10的管腳9相連,DSP控制芯片U9的管腳40與非易失存儲芯片U1的管腳5、非易失存儲芯片U2的管腳5、非易失存儲芯片U3的管腳5、非易失存儲芯片U4的管腳5、非易失存儲芯片U5的管腳5、非易失存儲芯片U6的管腳5、非易失存儲芯片U7的管腳5、非易失存儲芯片U8的管腳5相連,DSP控制芯片U9的管腳41與非易失存儲芯片U1的管腳2、非易失存儲芯片U2的管腳2、非易失存儲芯片U3的管腳2、非易失存儲芯片U4的管腳2、非易失存儲芯片U5的管腳2、非易失存儲芯片U6的管腳2、非易失存儲芯片U7的管腳2、非易失存儲芯片U8的管腳2相連,DSP控制芯片U9的管腳34與非易失存儲芯片U1的管腳6、非易失存儲芯片U2的管腳6、非易失存儲芯片U3的管腳6、非易失存儲芯片U4的管腳6、非易失存儲芯片U5的管腳6、非易失存儲芯片U6的管腳6、非易失存儲芯片U7的管腳6、非易失存儲芯片U8的管腳6相連。
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