[實用新型]一種IGBT終端結構

有效

• 申請號: 201420122803.X
• 申請日: 2014-03-18
• 公開（公告）號: CN203746861U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 王耀華;趙哿;李立
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網智能電網研究院;國網北京市電力公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種IGBT終端結構，所述IGBT終端結構與IGBT有源區相連接，所述IGBT終端結構包括N型單晶硅片（01）、P型場限環（022）、場氧化層（03）、柵氧化層（05）、多晶硅層（06）、硼磷硅玻璃（07）以及金屬層（08），所述P型場限環（022）位于N型單晶硅片（01）中，所述場氧化層（03）和柵氧化層（05）并行排列，均位于N型單晶硅片（01）的表面，所述多晶硅層（06）位于場氧化層（03）表面，所述硼磷硅玻璃（07）位于場氧化層（03）的表面并延伸至多晶硅層（06）和柵氧化層（05）的表面，在硼磷硅玻璃（07）刻蝕有金屬連接孔，所述金屬層（08）通過金屬連接孔與所述P型場限環（022）及多晶硅層（06）連接；

其特征在于，在P型場限環（022）的外側設有結深小于P型場限環（022）的P型環（041）。

2.如權利要求1所述的IGBT終端結構，其特征在于，所述P型場限環（022）的注入雜質為硼，注入劑量為5E13～1E15/cm²；所述場氧化層（03）的厚度為1.0～1.5um；所述多晶硅層（06）的厚度為0.5～1.0um，所述硼磷硅玻璃的厚度為1.0～2.0um，所述金屬層（08）的厚度為2.0～4.2um。

3.如權利要求1所述的IGBT終端結構，其特征在于，所述P型環（041）的注入雜質為硼，注入劑量為3E13～1E14/cm²。

4.如權利要求1所述的IGBT終端結構，其特征在于，所述場氧化層（03）的厚度大于柵氧化層（05）的厚度，所述柵氧化層（05）的厚度為1.0～1.5um。