[實(shí)用新型]晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420121269.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-18 | 
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203773813U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-08-13 | 
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 房建東;王艷榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué) | 
| 主分類號(hào): | G09B23/18 | 分類號(hào): | G09B23/18 | 
| 代理公司: | 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 劉洪勛 | 
| 地址: | 010051 內(nèi)蒙古*** | 國(guó)省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶體管 放大 實(shí)驗(yàn) | ||
1.一種晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,包括箱體,其特征在于,在所述箱體上設(shè)置有正弦信號(hào)發(fā)生模塊、電源接入模塊、晶體管共射放大電路和晶體管共集放大電路組成的放大電路模塊,所述正弦信號(hào)發(fā)生模塊、所述電源接入模塊、所述晶體管共射放大電路模塊和所述晶體管共集放大電路模塊組成的放大電路模塊的端口均開(kāi)放設(shè)置。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述晶體管共射放大電路模塊為由分立元件組成的基本單管共射放大電路。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述晶體管共集放大電路模塊為由分立元件組成的基本單管共集放大電路。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述電源接入模塊上設(shè)置有多種電子元器件,所述電子元器件包括穩(wěn)壓器、多個(gè)接地端、多個(gè)電阻、多個(gè)電容、多個(gè)二極管、多個(gè)三極管和多個(gè)運(yùn)算放大器,所述多個(gè)接地端、所述多個(gè)電阻、所述多個(gè)電容、所述多個(gè)二極管、所述多個(gè)三極管的輸入端口和輸出端口均開(kāi)放設(shè)置在所述箱體上。?
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述正弦信號(hào)發(fā)生模塊、所述晶體管共射放大電路模塊和晶體管共集放大電路模塊上設(shè)置有多種電子元器件,所述電子元器件包括穩(wěn)壓器、多個(gè)接地端、多個(gè)電阻、多個(gè)電容、多個(gè)二極管、多個(gè)三極管和多個(gè)運(yùn)算放大器,所述多個(gè)接地端、所述多個(gè)電阻、所述多個(gè)電容、所述多個(gè)二極管、所述多個(gè)三極管和所述多個(gè)運(yùn)算放大器的輸入端口和輸出端口均開(kāi)放設(shè)置在所述箱體上。?
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述多個(gè)電阻的阻值為1Ω-500kΩ。?
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述多個(gè)電容的電容值為1pF-100mF。?
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述多個(gè)電阻的阻值為1Ω-500kΩ。?
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體管共射放大與晶體管共集放大實(shí)驗(yàn)箱,其特征在于,所述多個(gè)電容的電容值為1pF-100mF。?
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