[實用新型]陣列基板、液晶面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420117363.9
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN203745776U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發(fā)明（設計）人: 馮博;馬禹;王驍;閆巖
• 申請（專利權）人: 北京京東方顯示技術有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12;H01L23/50
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小，功耗低，無輻射等特點，近年來得到迅速發(fā)展，在當前的平板顯示器市場中占據主導地位。TFT-LCD的主體結構為由陣列基板和彩膜基板對盒形成的液晶面板。其中，陣列基板包括柵線、數據線和為陣列基板提供基準電壓的公共電極線，柵線和數據線橫縱交叉分布，限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，簡稱TFT）和像素電極。TFT包括柵電極、源電極和漏電極，以及位于源電極和漏電極之間的有源層（形成TFT的溝道），漏電極與像素電極電性連接。柵線、公共電極線與柵電極由同一柵金屬層形成，數據線與源電極和漏電極由同一源漏金屬層形成。

液晶面板還包括透明公共電極，其與像素電極位置對應，形成驅動液晶旋轉的電場。TFT-LCD的顯示原理為：通過柵線傳輸掃描信號，逐行打開TFT，然后通過數據線向像素電極傳輸像素電壓，驅動液晶旋轉，實現對應灰階的顯示。為了在下一次掃描信號開啟薄膜晶體管之前，保持原先寫入像素電極的電壓，需要設置存儲電容（Storage?Capacitor，Cst）來增加整體的電容量，使得寫入像素電極的電壓能夠保持一較長時間，具體為一幀畫面的顯示時間。

根據驅動電場的方向，將TFT-LCD分為以橫向電場作為驅動電場的TFT-LCD（如：IPS型TFT-LCD）、以縱向電場作為驅動電場的TFT-LCD（如：TN型TFT-LCD和ITN型TFT-LCD）、以及以多維電場作為驅動電場的TFT-LCD（如：ADS型TFT-LCD）。對于以橫向電場和多維電場作為驅動電場的TFT-LCD，其透明公共電極形成在陣列基板上，其存儲電容Cst由像素電極和透明公共電極之間的耦合電容提供，電容量較大，能夠滿足時間上的需求。

而對于以縱向電場作為驅動電場的TFT-LCD，其透明公共電極形成在彩膜基板上，可以通過像素電極和柵線之間的耦合電容來提供存儲電容Cst，即Cst?on?gate，但是由于柵線與像素電極的交疊面積較小，導致Cst?on?gate的儲存電荷能力較弱。為了解決Cst?on?gate的儲存電荷能力較弱的問題，現有技術中，一般是在像素區(qū)域增加公共電極線布線，通過公共電極線和像素電極之間的耦合電容來提供存儲電容Cst，即Cst?on?com，由于公共電極線和像素電極交疊面積較大，使得Cst?on?com的儲存電荷能力較強。但是由于公共電極線是由柵金屬形成的，不透光，因此勢必會損失像素單元的開口率。

實用新型內容

本實用新型提供一種陣列基板，用以解決Cst?on?gate的儲存電荷能力較弱的問題。

本實用新型還提供一種液晶面板及顯示裝置，采用上述的陣列基板，用于提高顯示品質。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種陣列基板，包括柵線和數據線，以及由柵線和數據線限定的多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和像素電極，所述像素電極與柵線之間形成有第一絕緣層，且所述像素電極的一部分與所述柵線位置對應，形成第一交疊區(qū)域，所述像素電極和柵線在所述第一交疊區(qū)域形成第一存儲電容，其中，

所述像素單元還包括一耦合電極，所述耦合電極與所述像素電極電性連接，所述耦合電極與所述像素電極分別位于所述柵線的兩側；

所述耦合電極與柵線之間形成有第二絕緣層，且所述耦合電極的至少一部分與所述柵線位置對應，形成第二交疊區(qū)域，所述耦合電極和柵線在所述第二交疊區(qū)域形成第二存儲電容。

進一步地，所述耦合電極為透明電極。

進一步地，所述耦合電極通過第一絕緣層過孔和第二絕緣層過孔與所述像素電極電性連接，其中，所述第一絕緣層過孔和第二絕緣層過孔的位置對應，位于所述耦合電極的上方且不與所述柵線相對的位置。

進一步地，所述像素電極位于所述柵線的上方，所述耦合電極位于所述柵線的下方；

所述第一絕緣層包括柵絕緣層和鈍化層；

所述第一絕緣層過孔包括柵絕緣層過孔和鈍化層過孔；

所述柵絕緣層在所述耦合電極的上方，與所述第二絕緣層過孔相對的位置形成所述柵絕緣層過孔，所述鈍化層在所述耦合電極的上方，與所述柵絕緣層過孔相對的位置形成所述鈍化層過孔；

所述耦合電極通過第二絕緣層過孔、柵絕緣層過孔和鈍化層過孔與所述像素電極電性連接。