[實用新型]半導體器件

有效

• 申請號: 201420116919.2
• 申請日: 2014-03-14
• 公開（公告）號: CN203733803U
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: A·巴納爾吉;P·莫恩斯
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/417
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊國權

1.一種半導體器件，包括：

在半導體基板上的溝道形成層；

在所述溝道形成層上的阻擋層；

在所述阻擋層和所述溝道形成層之間的界面處形成的二維電子氣層；

與所述阻擋層處于被間隔開的關系的控制電極；以及

包含與所述二維電子氣層歐姆接觸并且不平行于溝道寬度方向的多個側面的第一凹槽結構歐姆電極，其中與所述二維電子氣層歐姆接觸的所述第一凹槽結構歐姆電極的側面具有波狀形狀。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括在所述控制電極和所述阻擋層之間的柵極介電層。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括包含與所述二維電子氣層歐姆接觸并且不平行于所述溝道寬度方向的多個側面的第二凹槽結構歐姆電極，其中與所述二維電子氣層歐姆接觸的所述第二凹槽結構歐姆電極的側面具有波狀形狀。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中具有所述波狀形狀的所述第一凹槽結構歐姆電極的側表面與具有所述波狀形狀的所述第二凹槽結構歐姆電極的側表面彼此面對。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述第一凹槽結構歐姆電極的所述波狀形狀對稱于所述第二凹槽結構歐姆電極的所述波狀形狀。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述第一凹槽結構歐姆電極的所述波狀形狀不對稱于所述第二凹槽結構歐姆電極的所述波狀形狀。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一凹槽結構歐姆電極具有連續的且大致矩形的形狀。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述波狀形狀由多個圓形的突出部限定，每個所述突出部由圓形的凹進部分開。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中每個所述突出部具有在大約0.05微米與大約3微米之間的高度。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中所述高度為大約2微米。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述歐姆電極是高電子遷移率晶體管的源電極。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述歐姆電極是高電子遷移率晶體管的漏電極。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述溝道形成層包含GaN。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述歐姆電極包括鈦、氮化鈦、鋁、鎳、鉑、金以及鎢中的一個或多個。

15.一種半導體器件，包括：

第一層；

在第一層之上的第二層，所述第一層和所述第二層被配置為在所述第一層和所述第二層的界面處形成電子氣層；

第一歐姆接觸部；以及

延伸到所述第二層內的第一凹槽結構導電接觸部，所述第一凹槽結構導電接觸部被配置為將所述第一歐姆接觸部電耦合到所述電子氣層，所述第一凹槽結構導電接觸部具有被配置為增加通過所述第一歐姆接觸部的電流密度的具有波狀形狀的側表面，所述波狀形狀具有大致圓形的突出部和大致圓形的凹進部。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，還包括：

第二歐姆接觸部；

延伸到所述第二層內的第二凹槽結構導電接觸部，所述第二凹槽結構導電接觸部被配置為將所述第二歐姆接觸部電耦合到所述電子氣層，所述第二凹槽結構導電接觸部具有被配置為增加通過所述第二歐姆接觸部的電流密度的具有波狀形狀的側表面；以及

被設置在所述第一歐姆接觸部與第二歐姆接觸部之間的所述第二層之上的控制電極。

17.根據權利要求16所述的半導體器件，其中，

所述第一層包括III族氮化物緩沖層和溝道層；

所述第二層包括III族氮化物阻擋層；以及

所述第一凹槽結構導電接觸部的所述波狀形狀不對稱于所述第二凹槽結構導電接觸部的所述波狀形狀。

18.一種半導體器件，包括：

包括III族氮化物的第一層；

在所述第一層之上的包括III族氮化物第二層，所述第一層和所述第二層被配置為在所述第一層和所述第二層的界面處形成電子氣層；

第一歐姆接觸部；

延伸到所述第二層內的第一凹槽結構導電接觸部，所述第一凹槽結構導電接觸部被配置為將所述第一歐姆接觸部電耦合到所述電子氣層，所述第一凹槽結構導電接觸部具有被配置為增加通過所述第一歐姆接觸部的電流密度的具有波狀形狀的側表面，所述波狀形狀具有大致圓形的突出部和大致圓形的凹進部；

第二歐姆接觸部；

延伸到所述第二層內的第二凹槽結構導電接觸部，所述第二凹槽結構導電接觸部被配置為將所述第二歐姆接觸部電耦合到所述電子氣層，所述第二凹槽結構導電接觸部具有帶有所述波狀形狀的側表面，其中具有所述波狀形狀的兩個側面彼此面對；以及

在所述第一歐姆接觸部和所述第二歐姆接觸部之間的控制電極。