[實(shí)用新型]一種偏振出光發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420116217.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203787452U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹冰;邢賀;張桂菊;王欽華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L33/44 | 分類號(hào): | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 偏振 發(fā)光二極管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種發(fā)光二極(LED),具體涉及一種具有復(fù)合光柵結(jié)構(gòu)的偏振裝置。
背景技術(shù)
探索制備高亮度的、偏振出光的氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(LED)具有重要的研究和應(yīng)用價(jià)值。比如,在偏振出光LED在液晶背光源上,如果LED芯片本身就發(fā)射偏振光的話,將帶來(lái)很多設(shè)備、體積、耗資上的節(jié)省。當(dāng)前,在LED出光端面制作亞波長(zhǎng)金屬光柵結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)LED偏振出光,是一種非常有潛力的制作高質(zhì)量偏振器的方式。
亞波長(zhǎng)表面光柵光學(xué)元件可以反射大多數(shù)橫電波(TE)偏振光,而允許大多數(shù)橫磁波(TM)偏振光通過(guò),展示了優(yōu)良的偏振特性。通過(guò)對(duì)不同結(jié)構(gòu)的偏振出光特性的比較發(fā)現(xiàn),在金屬光柵和GaN基底之間加入介質(zhì)層可以有效地增強(qiáng)LED的偏振光透過(guò)率和消光比特性。在本實(shí)用新型作出之前,中國(guó)發(fā)明專利?“一種偏振出光發(fā)光二極管”?(CN102263183A)公開(kāi)了一種具有二維表面周期結(jié)構(gòu)的偏振出光發(fā)光二極管,在p型層上表面鍍有一介質(zhì)過(guò)渡層,其上復(fù)合二維周期點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)表面層,該專利未涉及空氣隙結(jié)構(gòu),并且不能實(shí)現(xiàn)藍(lán)綠光波段的高偏振出光。中國(guó)發(fā)明專利?“一種增強(qiáng)偏振出光發(fā)光二極管?”?(CN101853912A)涉及一種具有復(fù)合微納表面光柵結(jié)構(gòu)的偏振出光發(fā)光二極管,在于p型層的上表面鍍有介質(zhì)過(guò)渡層與金屬光柵的復(fù)合結(jié)構(gòu),介質(zhì)過(guò)渡層的折射率n滿足條件:1<n<p型層介質(zhì)的折射率;針對(duì)GaN基LED典型發(fā)光波長(zhǎng)440~520nm以實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的偏振性能,但它尚不能覆蓋整個(gè)綠光波段。
目前,在LED封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)采用空氣隙復(fù)合光柵結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)LED在整個(gè)藍(lán)綠光波段偏振出光的技術(shù)方案未見(jiàn)報(bào)道。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中偏振出光發(fā)光二極管的發(fā)光波段的局限性,提供一種新型的偏振出光發(fā)光二極管。
實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的所采用的技術(shù)方案是提供一種偏振出光發(fā)光二極管,其結(jié)構(gòu)為n型GaN層生長(zhǎng)于襯底之上,量子阱生長(zhǎng)于n型GaN層之上,p型GaN層生長(zhǎng)于量子阱之上,過(guò)渡層生長(zhǎng)于p型GaN層之上,它還包括一個(gè)設(shè)置于發(fā)光二極管的出光端面上的復(fù)合光柵結(jié)構(gòu),所述的復(fù)合光柵結(jié)構(gòu)為在過(guò)渡層和表面金屬光柵結(jié)構(gòu)之間加入空氣隙,空氣隙的厚度為60~350nm,過(guò)渡層的厚度為50~250nm,表面金屬光柵的周期為60~400nm,?占空比為0.2~0.9,深度為60~400nm。
本實(shí)用新型所述的一種偏振出光發(fā)光二極管,過(guò)渡層的材料為SiO2、Al2O3或TiO2中的一種;過(guò)渡層的材料還可以為聚苯乙烯。金屬光柵的材料為Al、Ag、Au和Cu,或他們的合金。
本實(shí)用新型的原理是:由于LED芯片中量子阱發(fā)射的光無(wú)方向性,為了實(shí)現(xiàn)LED表面高偏振度的偏振出光,本實(shí)用新型采用在LED芯片的出光端面上集成制作空氣隙金屬?gòu)?fù)合光柵結(jié)構(gòu)。通過(guò)合適的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),復(fù)合光柵結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)一個(gè)方向的偏振光具有強(qiáng)的反射,相應(yīng)垂直方向的偏振光具有強(qiáng)的反射。通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)空氣隙、過(guò)渡層、光柵周期、占空比和深度,實(shí)現(xiàn)LED的高偏振度出光。根據(jù)時(shí)域有限差分法(finite-difference?time-domain)進(jìn)行計(jì)算以上參數(shù)的具體數(shù)值,設(shè)計(jì)原則以在該LED發(fā)光波長(zhǎng)下達(dá)到最好的偏振消光比和透過(guò)率的組合為準(zhǔn)。復(fù)合光柵結(jié)構(gòu)具有更大的透射率和消光比,利用薄膜光學(xué)原理和有效介質(zhì)理論方法分析,其物理原理可以得到充分的證明。根據(jù)薄膜光學(xué)原理可知,有效折射率層的引入相當(dāng)于在GaN基底上增加了一層增透膜,形成了類Fabry-Perot(F-P)腔,在滿足一定的干涉條件時(shí),將引起光透射增強(qiáng)效應(yīng)。過(guò)渡層和空氣隙結(jié)構(gòu)的引入使得表面金屬光柵的有效折射率的某一偏振分量(TM偏振)的有效介電常數(shù)變大,從而這一偏振光分量的透過(guò)率提高,同時(shí)又抑制了另一偏振方向光(TE偏振)。因此,過(guò)渡層和空氣隙結(jié)構(gòu)的引入帶來(lái)了偏振光的透射增強(qiáng)效應(yīng)和改善了偏振消光比是由于多層等效光柵結(jié)構(gòu)的雙折射效應(yīng)和多層膜干涉效應(yīng)綜合的結(jié)果。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的顯著特點(diǎn)是:通過(guò)設(shè)置空氣隙金屬光柵結(jié)構(gòu),并經(jīng)過(guò)調(diào)整和優(yōu)化相關(guān)結(jié)構(gòu)參數(shù),在?GaN基LED發(fā)光在藍(lán)、綠光區(qū),基本可以覆蓋整個(gè)藍(lán)綠光波段實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率和高消光比,實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)偏振特性,對(duì)設(shè)計(jì)和制造新型具有特殊光學(xué)性能的有源光學(xué)器件具有指導(dǎo)意義。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種空氣隙復(fù)合光柵偏振出光LED的結(jié)構(gòu)剖面示意圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州大學(xué),未經(jīng)蘇州大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420116217.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:圖像處理方法
- 下一篇:一種無(wú)扭簧電動(dòng)滑升門(mén)
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





