[實(shí)用新型]AZO導(dǎo)電玻璃有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420109359.8 | 申請(qǐng)日： | 2014-03-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203864103U | 公開（公告）日： | 2014-10-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 董清世;邵世強(qiáng);李曉東;陳曦;趙鳳剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 信義光伏產(chǎn)業(yè)（安徽）控股有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B32B9/04 | 分類號(hào)： | B32B9/04;B32B17/00;C03C17/34 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | azo 導(dǎo)電 玻璃 | ||
1.一種AZO導(dǎo)電玻璃，包括基底層，其特征在于，還包括折射率相互匹配并使可見光發(fā)生相消干涉的折射率匹配層和AZO膜層，所述基底層、折射率匹配層和AZO膜層依次層疊設(shè)置，所述AZO膜層采用摻鋁氧化鋅通過(guò)直流磁控濺射的方式鍍制于所述折射率匹配層。?
2.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述折射率匹配層包括層疊設(shè)置的五氧化二鈮膜層和二氧化硅層，所述五氧化二鈮膜層與所述基底層相接，所述AZO膜層與所述二氧化硅層相接。?
3.如權(quán)利要求2所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述五氧化二鈮膜層的厚度為5nm至20nm；所述五氧化二鈮膜層的厚度為550nm時(shí)，其折射率n為2.20至2.40。?
4.如權(quán)利要求2所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為20nm至60nm；所述二氧化硅層的厚度為550nm時(shí)，其折射率n為1.40至1.50。?
5.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述AZO膜層的厚度為50nm至300nm；所述AZO膜層的厚度為550nm時(shí)，其折射率n為1.85至1.95。?
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述基底層為透明的玻璃。?
7.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述基底層的厚度為0.4mm至2.0mm。?
8.如權(quán)利要求2所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述五氧化二鈮膜層的厚度為9.5nm，所述二氧化硅膜層的厚度為41nm，所述AZO膜層的厚度為120nm。?
9.如權(quán)利要求1所述的AZO導(dǎo)電玻璃，其特征在于，所述折射率匹配層包括層疊設(shè)置的二氧化鈦層和二氧化硅層。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于信義光伏產(chǎn)業(yè)（安徽）控股有限公司，未經(jīng)信義光伏產(chǎn)業(yè)（安徽）控股有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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