[實用新型]一種用于8英寸重摻As硅單晶熱場結構

有效

• 申請號: 201420109237.9
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN203820915U
• 公開（公告）日: 2014-09-10
• 發明（設計）人: 張學強;黃永恩;范全東;路鵬
• 申請（專利權）人: 寧晉賽美港龍電子材料有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 石家莊冀科專利商標事務所有限公司 13108
• 代理人: 李羨民;周曉萍

1.一種用于8英寸重摻As硅單晶熱場結構，它包括爐體（1），爐體內設置保溫筒（2）、加熱器（3）和石英坩堝（4），石英坩堝上部設有導流筒（8），爐體上部設有爐蓋（10），爐蓋上設有氬氣進口（11），其特征在于，所述導流筒（8）上部設置集流筒（9），集流筒下部外側與導流筒上邊緣內側接觸，集流筒上沿與爐蓋間距H為20-30毫米。

2.根據權利要求1所述的用于8英寸重摻As硅單晶熱場結構，其特征在于，所述保溫筒（2）上部設有支撐導流筒的蓋板（5），蓋板上部設置上保溫筒（6），上保溫筒設置在集流筒外圍，上保溫筒上部固定上蓋板（7），所述集流筒由上蓋板支撐。

3.根據權利要求2所述的用于8英寸重摻As硅單晶熱場結構，其特征在于，所述集流筒（9）為圓臺形，其圓臺錐度與導流筒的內壁錐度匹配，集流筒上部設有向外延伸的搭接臺（9-1）。

4.根據權利要求3所述的用于8英寸重摻As硅單晶熱場結構，其特征在于，所述上保溫筒（6）為固化氈，上保溫筒壁厚為6-10mm。