[實(shí)用新型]四極桿與離子阱雙重功能質(zhì)譜儀器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420106020.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203839342U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張小華;張華;劉曉超 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京普析通用儀器有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01J49/42 | 分類(lèi)號(hào): | H01J49/42;H01J49/02 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 龔燮英 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 四極桿 離子 雙重 功能 質(zhì)譜儀 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種四極桿與離子阱雙重功能質(zhì)譜儀器,屬于質(zhì)譜儀器技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
四極桿質(zhì)譜儀器與離子阱質(zhì)譜儀器是常用的兩種質(zhì)譜儀器。
一般的四極桿質(zhì)譜儀器包括離子源與質(zhì)量分析器兩個(gè)基本組成部分,在這種儀器中,質(zhì)量分析器是一根四極桿,在這四根電極上加上電壓,會(huì)在空間誘導(dǎo)出電場(chǎng)分布(見(jiàn)圖1)。
離子在這個(gè)電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng),滿(mǎn)足特定的運(yùn)動(dòng)規(guī)律,就可以完成質(zhì)量掃描,不同荷質(zhì)比的離子會(huì)在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中分開(kāi),這就是四極桿質(zhì)譜儀器的工作原理。
最早與四極桿平行研發(fā)的另外一種質(zhì)量分析器就是由物理學(xué)家paul發(fā)明的三維離子阱質(zhì)量分析器。離子阱電極的空間幾何結(jié)構(gòu)是由一個(gè)環(huán)電極與一對(duì)端蓋電極所構(gòu)成。在柱坐標(biāo)系{r,z}中,電極的幾何結(jié)構(gòu)滿(mǎn)足簡(jiǎn)單的數(shù)學(xué)方程。.
其中環(huán)電極是一個(gè)繞z旋轉(zhuǎn)雙曲面,其母線(xiàn)滿(mǎn)足一個(gè)雙曲線(xiàn)方程:
其中r0是環(huán)電極內(nèi)表面所在圓周的半徑。
前后端蓋電極也是旋轉(zhuǎn)雙曲面,其母線(xiàn)滿(mǎn)足另外一個(gè)雙曲線(xiàn)方程:
其中2z0是2個(gè)端蓋電極之間的最短距離。
為了產(chǎn)生完美的四極電場(chǎng),當(dāng)用環(huán)電極與一對(duì)端蓋電極組成一個(gè)四極質(zhì)量分析器時(shí),它們之間的空間相對(duì)位置還需要滿(mǎn)足一定的幾何約束,即
一個(gè)三維離子阱在工作狀態(tài)下(見(jiàn)圖2),其工作電壓的施加方法為:在環(huán)電極上加載一個(gè)射頻電壓:
U(t)=U+VRFcosΩt.
式中,U為直流電壓,VRF為交流射頻電壓。
端蓋電極一般為接地,或偏置一定的直流電壓。這樣將在離子阱內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)隨時(shí)間變化的四極電場(chǎng)。
根據(jù)庫(kù)侖定律,帶電粒子在四極電場(chǎng)中將受到電場(chǎng)力的作用。離子在電場(chǎng)力作用下的運(yùn)動(dòng)滿(mǎn)足牛頓第二定律。
根據(jù)F=ma,可得離子在z方向的運(yùn)動(dòng)方程為:
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