[實用新型]金屬互連結構有效
| 申請號： | 201420103780.8 | 申請日： | 2014-03-07 |
| 公開（公告）號： | CN203895443U | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發明（設計）人： | 周鳴 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 互連 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬互連結構，其特征在于，包括：半導體基底；位于所述半導體基底上的絕緣層；位于所述絕緣層中的銅互連線；位于所述銅互連線上的連接層，所述連接層為碳硼化鋁層；以及位于所述連接層上的低K介質層。?
2.如權利要求1所述的金屬互連結構，其特征在于，所述連接層的厚度為10?！?000埃。?
3.如權利要求1所述的金屬互連結構，其特征在于，所述低K介質層為NDC層。?
4.如權利要求3所述的金屬互連結構，其特征在于，所述NDC層的厚度為10埃～1000埃。?
5.如權利要求1所述的金屬互連結構，其特征在于，所述絕緣層為氮化硅層或者二氧化硅層。?
6.如權利要求1～5中任一項所述的金屬互連結構，其特征在于，所述半導體基底中形成有MOS晶體管。?
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