[實(shí)用新型]基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420095601.0 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203748074U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁志明;詹建新;李國(guó)元;吳朝暉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H05B37/02 | 分類號(hào): | H05B37/02 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 蔡茂略 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 電壓 記憶 分段 限流 led 驅(qū)動(dòng) 電路 | ||
1.基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,包括整流電路、分壓電路、比較器組、高壓開關(guān)電路和LED燈串,所述整流電路與分壓電路連接,所述高壓開關(guān)電路與LED燈串連接,所述LED燈串與整流電路連接,其特征在于:還包括電壓上升下降檢測(cè)模塊、電壓記憶模塊、控制邏輯模塊、檢流電阻以及檢流比較器,所述電壓記憶模塊、比較器組、控制邏輯模塊、高壓開關(guān)電路和LED燈串依次連接;所述分壓電路分別與電壓上升下降檢測(cè)模塊和電壓記憶模塊連接,所述電壓上升下降檢測(cè)模塊分別與電壓記憶模塊和控制邏輯模塊連接,所述控制邏輯模塊與電壓記憶模塊連接;所述高壓開關(guān)電路通過(guò)檢流電阻與電源共地端連接,所述檢流比較器的一個(gè)輸入端接檢流電阻與高壓開關(guān)電路的公共連接點(diǎn),另一個(gè)輸入端接參考電壓,所述檢流比較器的輸出端與控制邏輯模塊連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述電壓記憶模塊由多個(gè)電壓保持器構(gòu)成,所述每個(gè)電壓保持器的輸出端分別與比較器組連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述每個(gè)電壓保持器由電容和運(yùn)算放大器組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述比較器組由多個(gè)電壓比較器組成,所述每個(gè)電壓比較器的一個(gè)輸入端與每個(gè)電壓保持器的輸出端一一對(duì)應(yīng)連接,另一個(gè)輸入端相接在一起后與分壓電路連接,所述每個(gè)電壓比較器的輸出端分別與控制邏輯模塊連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述控制邏輯模塊由多個(gè)D觸發(fā)器和完成功能所需的組合數(shù)字邏輯構(gòu)成,所述控制邏輯模塊以比較器組內(nèi)每個(gè)電壓比較器的輸出、電壓上升下降檢測(cè)模塊的輸出以及檢流比較器的輸出作為輸入信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述電壓上升下降檢測(cè)模塊由微分單元電路和電壓比較器組成,輸出指示直流脈動(dòng)電壓上升下降狀態(tài)的方波信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述高壓開關(guān)電路由多個(gè)高壓NMOS管組成,所述每個(gè)D觸發(fā)器的存儲(chǔ)狀態(tài)和每個(gè)高壓NMOS管的開關(guān)狀態(tài)一一對(duì)應(yīng);所述每個(gè)高壓NMOS管的源極相接在一起后經(jīng)過(guò)檢流電阻與電源共地端連接,所述檢流比較器的一個(gè)輸入端接檢流電阻與每個(gè)高壓NMOS管的源極的公共連接點(diǎn),另一個(gè)輸入端接參考電壓;所述每個(gè)高壓NMOS管的漏極與LED燈串連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于電壓記憶與分段限流的LED驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于:所述LED燈串由多個(gè)LED燈段串聯(lián)組成,所述LED燈段的數(shù)量與高壓NMOS管的數(shù)量相一致。
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