[實用新型]一種LED電流紋波抑制電路及LED發(fā)光裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420094008.4 | 申請日: | 2014-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN203748073U | 公開(公告)日: | 2014-07-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 于井亮;胡喬;李照華;周昭珍;黃賴長;林道明 | 申請(專利權)人: | 深圳市明微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H05B37/02 | 分類號: | H05B37/02 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新技*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 電流 抑制 電路 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種LED電流紋波抑制電路,其特征在于,所述LED電流紋波抑制電路與恒流控制電路及LED負載連接,所述恒流控制電路的電流輸出端連接所述LED負載的輸入端,所述LED電流紋波抑制電路的輸入端和輸出端分別連接所述LED負載的輸出端和所述恒流控制電路的回路端;
所述LED電流紋波抑制電路包括第一電阻R1、第一電容C1、第二電阻R2及NMOS管M1;所述第一電阻R1的第一端與所述NMOS管M1的漏極的共接點為所述LED電流紋波抑制電路的輸入端,所述第一電容C1的第一端與所述第一電阻R1的第二端及所述第二電阻R2的第一端共接于所述NMOS管M1的柵極,所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端及所述第一電容C1的第二端共接所形成的共接點為所述LED電流紋波抑制電路的輸出端;所述NMOS管M1工作于飽和區(qū),由所述第一電阻R1、所述第一電容C1及所述第二電阻R2對所述NMOS管M1的柵極電壓紋波進行濾波處理以使所述NMOS管M1減小其漏極的電流紋波。
2.如權利要求1所述的LED電流紋波抑制電路,其特征在于,所述LED電流紋波抑制電路還包括第三電阻R3,所述第三電阻R3連接于所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端之間。
3.如權利要求1或2所述的LED電流紋波抑制電路,其特征在于,所述LED電流紋波抑制電路還包括鉗位模塊,
所述鉗位模塊包括第四電阻R4、第五電阻R5及PNP型三極管Q1;所述第四電阻R4的第一端與所述PNP型三極管Q1的發(fā)射極共接于所述LED負載的輸出端,所述第四電阻R4的第二端與所述第五電阻R5的第一端共接于所述PNP型三極管Q1的基極,所述PNP型三極管Q1的集電極和所述第五電阻R5的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
4.如權利要求1或2所述的LED電流紋波抑制電路,其特征在于,所述LED電流紋波抑制電路還包括鉗位模塊,所述鉗位模塊包括第六電阻R6、第七電阻R7、PMOS管M2及二極管D1;
所述第六電阻R6的第一端與所述PMOS管M2的源極共接于所述LED負載的輸出端,所述第六電阻R6的第二端與所述第七電阻R7的第一端共接于所述PMOS管M2的柵極,所述PMOS管M2的漏極連接所述二極管D1的陽極,所述二極管D1的陰極和所述第七電阻R7的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
5.一種LED發(fā)光裝置,包括恒流控制電路和LED負載,其特征在于,所述LED發(fā)光裝置還包括LED電流紋波抑制電路,所述LED電流紋波抑制電路與所述恒流控制電路及所述LED負載連接,所述恒流控制電路的電流輸出端連接所述LED負載的輸入端,所述LED電流紋波抑制電路的輸入端和輸出端分別連接所述LED負載的輸出端和所述恒流控制電路的回路端;
所述LED電流紋波抑制電路包括第一電阻R1、第一電容C1、第二電阻R2及NMOS管M1;所述第一電阻R1的第一端與所述NMOS管M1的漏極的共接點為所述LED電流紋波抑制電路的輸入端,所述第一電容C1的第一端與所述第一電阻R1的第二端及所述第二電阻R2的第一端共接于所述NMOS管M1的柵極,所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端及所述第一電容C1的第二端共接所形成的共接點為所述LED電流紋波抑制電路的輸出端;所述NMOS管M1工作于飽和區(qū),由所述第一電阻R1、所述第一電容C1及所述第二電阻R2對所述NMOS管M1的柵極電壓紋波進行濾波處理以使所述NMOS管M1減小其漏極的電流紋波。
6.如權利要求5所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于,所述LED電流紋波抑制電路還包括第三電阻R3,所述第三電阻R3連接于所述NMOS管M1的源極與所述第二電阻R2的第二端之間。
7.如權利要求5或6所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于,所述LED電流紋波抑制電路還包括鉗位模塊,
所述鉗位模塊包括第四電阻R4、第五電阻R5及PNP型三極管Q1;所述第四電阻R4的第一端與所述PNP型三極管Q1的發(fā)射極共接于所述LED負載的輸出端,所述第四電阻R4的第二端與所述第五電阻R5的第一端共接于所述PNP型三極管Q1的基極,所述PNP型三極管Q1的集電極和所述第五電阻R5的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
8.如權利要求5或6所述的LED發(fā)光裝置,其特征在于,所述LED電流紋波抑制電路還包括鉗位模塊,所述鉗位模塊包括第六電阻R6、第七電阻R7、PMOS管M2及二極管D1;
所述第六電阻R6的第一端與所述PMOS管M2的源極共接于所述LED負載的輸出端,所述第六電阻R6的第二端與所述第七電阻R7的第一端共接于所述PMOS管M2的柵極,所述PMOS管M2的漏極連接所述二極管D1的陽極,所述二極管D1的陰極和所述第七電阻R7的第二端分別連接所述第一電容C1的第一端和第二端。
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