[實用新型]芯片疊晶藏線結構有效

申請號：	201420088662.4	申請日：	2014-02-28
公開（公告）號：	CN203707110U	公開（公告）日：	2014-07-09
發明（設計）人：	林河北;楊東	申請（專利權）人：	深圳市金譽半導體有限公司
主分類號：	H01L23/488	分類號：	H01L23/488
代理公司：	深圳市合道英聯專利事務所(普通合伙) 44309	代理人：	廉紅果
地址：	518000 廣東省深圳市寶安區***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	芯片疊晶藏線結構
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【權利要求書】：

1.一種芯片疊晶藏線結構，其特征在于，包括：框架、固定于所述框架上的一下層芯片、設于下層芯片上的DAF膜層、固定于所述DAF膜層上的一上層芯片以及第一至第四導線，所述上層芯片通過DAF膜層固定于下層芯片上，所述框架具有第一引腳與第二引腳，所述上層芯片上表面設有第一電極與第二電極，所述下層芯片上表面設有第三電極與第四電極，所述第一導線一端與第一引腳電性連接，另一端與第一電極電性連接，所述第二導線一端與第二引腳電性連接，另一端與第二電極電性連接，所述第三導線一端與第一引腳電性連接，另一端與第三電極電性連接，所述第四導線一端與第二引腳電性連接，另一端與第四電極電性連接，所述第三導線的另一端與第四導線的另一端藏于所述DAF膜層中，以避免與所述上層芯片相接觸。

2.根據權利要求1所述的芯片疊晶藏線結構，其特征在于，所述DAF膜層由DAF膠膜經高溫溶化后，再凝固硬化形成的。

3.根據權利要求1所述的芯片疊晶藏線結構，其特征在于，所述第一至第四導線分別具有不同的弧度。

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