[實用新型]一種電動車功率管驅動電路

有效

• 申請號: 201420087764.4
• 申請日: 2014-02-28
• 公開（公告）號: CN203813650U
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 崔增良;杜鵬;李洪超
• 申請（專利權）人: 山東朗進科技股份有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M1/32
• 代理公司: 北京元中知識產權代理有限責任公司 11223
• 代理人: 曲艷

技術領域

本實用新型涉及一種驅動電路，特別涉及一種電動車功率管驅動電路。

背景技術

在電動車爬坡時，由于負載突然變大，導致驅動牽引的功率管電流急劇上升，如果功率管的驅動能力不夠，則電動車在爬坡時會出現停車現象，雖然電動車內的功率管驅動芯片擁有較大的驅動能力，但仍不能解決電動車在爬坡時停車的問題，并且在電動車爬坡時，功率管的開通關斷會產生電流電壓突變，易損壞功率管，現需要一種能夠解決電動車在爬坡時停車問題的驅動電路。

實用新型內容

本實用新型主要目的在于解決上述問題和不足，提供一種驅動能力強、能夠有效保護功率管、穩定性好的電動車功率管驅動電路。

為實現上述目的，本實用新型的技術方案是：

一種電動車功率管驅動電路，包括驅動芯片，所述驅動芯片具有一個或多個信號輸出端，每個所述信號輸出端連接一個功率管，在每個所述信號輸出端和與之連接的功率管之間設置推挽電路。

進一步，推挽電路包括第一三極管和第二三極管，所述第一三極管的基極和第二三極管的基極與所述驅動芯片的信號輸出端連接，所述第一三極管的集電極與電源連接，所述第二三極管的發射極接地，所述第一三極管的發射極和第二三極管的集電極與所述功率管的柵極連接。

進一步，驅動芯片的信號輸出端有兩個，分別為高端驅動輸出端和低端驅動輸出端，所述高端驅動輸出端和低端驅動輸出端分別與一個功率管的柵極連接，所述兩個功率管分別為第一功率管和第二功率管，所述第一功率管的漏極接電源，所述第二功率管的源極接地，所述第一功率管的源極和第二功率管的漏極連接負載，所述第一功率管的柵極與所述驅動芯片的高端驅動輸出端之間設置有一個所述推挽電路，所述第二功率管的柵極與所述驅動芯片的低端驅動輸出端之間設置有一個所述推挽電路。

進一步，驅動芯片型號為IR2010。

進一步，第一功率管的漏極連接電解電容E1的正極，所述電解電容E1的負極連接所述第二功率管的源極。

進一步，電解電容E1分別與電容C1和電容C2并聯。

進一步，電容C1和電容C2為CBB電容。

進一步，功率管為MOS管。

綜上內容，本實用新型所述的一種電動車功率管驅動電路，通過設置推挽電路，提高了驅動芯片的驅動能力，有效的解決了電動車爬坡出現停車的現象。通過在上下橋MOS管之間設置電解電容，有效增加輸出電壓的穩定性，電解電容并聯兩個CBB電容，消除了電源的尖峰突變，起到保護器件的作用。

附圖說明

圖1是本實用新型的電路示意圖。

如圖1所示，控制器1。

具體實施方式

下面結合附圖與具體實施方式對本實用新型作進一步詳細描述：

實施例一：

一種電動車功率管驅動電路，包括驅動芯片，驅動芯片用于驅動功率管的開關，驅動芯片具有一個或多個信號輸出端，每個信號輸出端連接一個功率管，在每個信號輸出端和與之連接的功率管之間設置推挽電路。在本實施例中，驅動芯片具有一個信號輸出端，功率管為MOS管。驅動芯片的信號輸出端連接MOS管，在MOS管與驅動芯片的信號輸出端之間設置推挽電路。

推挽電路包括第一三極管和第二三極管，第一三極管的基極和第二三極管的基極分別與所述驅動芯片的信號輸出端連接，第一三極管的集電極與電源連接，第二三極管的發射極接地，第一三極管的發射極和第二三極管的集電極與MOS管的柵極連接。通過電路中的推挽電路，提高了MOS管的驅動能力，能夠有效解決電動車爬坡時出現的停車問題。

實施例二：

如圖1所示，一種電動車功率管驅動電路，包括驅動芯片，驅動芯片用于驅動功率管的開關，在本實施例中，驅動芯片的型號為IR2010，驅動芯片的信號輸出端有兩個，分別是高端驅動輸出端Ho和低端驅動輸出端Lo，功率管為兩個，分別為第一功率管和第二功率管，第一功率管和第二功率管為MOS管。驅動芯片的高端驅動輸出端Ho連接第一MOS管的柵極，驅動芯片的低端驅動輸出端Lo連接第二MOS管的柵極，第一MOS管的漏極連接電源，第一MOS管的源極和第二MOS管的漏極連接后與負載連接，第二MOS管的源極接地。

驅動芯片的高端邏輯輸入端Hin和低端邏輯輸入端Lin分別連接電動車的控制器1。當驅動芯片的高端邏輯輸入端Hin接收控制器1的高電平時，驅動芯片的高端驅動輸出端Ho輸出高電平，使第一MOS管導通；當驅動芯片的低端邏輯輸入端Lin接收控制器1的高電平時，驅動芯片的低端驅動輸出端Lo輸出高電平，使第二MOS管導通。