[實用新型]電連接器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420085437.5 | 申請日: | 2014-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN203871516U | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 朱德祥 | 申請(專利權(quán))人: | 番禺得意精密電子工業(yè)有限公司 |
| 主分類號: | H01R13/03 | 分類號: | H01R13/03 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 511458 廣東省廣州市番禺*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 連接器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種電連接器,尤其是指一種電性連接第一電子元件與第二電子元件的電連接器。?
背景技術(shù)
電連接器通常用于實現(xiàn)未直接電性連接的兩個電子元件之間的信號傳輸,例如,球狀柵格陣列(BGA)封裝形式的芯片模塊和電路板之間的信號傳輸通過BGA電連接器實現(xiàn),電連接器包括絕緣本體和設(shè)于絕緣本體內(nèi)的端子,端子本身設(shè)置有彈性接觸部,芯片模塊的錫球壓接于端子的彈性接觸部實現(xiàn)電性接觸。在芯片模塊或者電連接器受外力產(chǎn)生震動的情況下,所述端子的彈性接觸部與芯片模塊的錫球之間容易出現(xiàn)瞬間斷路的現(xiàn)象,影響芯片模塊與電路板之間的信號傳輸。?
因此,有必要設(shè)計一種新的電連接器及其制造方法,以克服上述問題。?
發(fā)明內(nèi)容
針對背景技術(shù)所面臨的問題,本實用新型的目的在于提供一種高度低、阻抗小的電連接器,其可改善第一電子元件與第二電子元件之間電性連接性能及信號傳輸?shù)姆€(wěn)定性。?
???為實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用以下技術(shù)手段:?
????一種電連接器,用于電性連接一第一電子元件至一第二電子元件,包括設(shè)有多個收容孔的一絕緣本體,每一所述收容孔內(nèi)設(shè)有一導(dǎo)電組件,其中所述導(dǎo)電組件包括一第一導(dǎo)電體與一液態(tài)金屬導(dǎo)電體,所述第一導(dǎo)電體至少部分為設(shè)于所述收容孔內(nèi)壁的導(dǎo)電層,所述液態(tài)金屬導(dǎo)電體為鎵或者鎵合金,所述收容孔內(nèi)設(shè)有一塞件,并于所述塞件的上方形成一收容腔,所述第一導(dǎo)電體一端形成焊接部,所述液態(tài)金屬導(dǎo)電體收容于所述收容腔,并可電性連接所述第一電子元件與所述第一導(dǎo)電體。
????進一步,所述塞件為彈性體。?
????進一步,所述塞件的上表面設(shè)有波浪形的溝壑。?
????進一步,所述絕緣本體的下表面設(shè)有環(huán)繞所述收容孔的溝槽。?
????進一步,所述收容孔設(shè)有一抵持部。?
????進一步,所述導(dǎo)電組件還包括一第二導(dǎo)電體,所述第二導(dǎo)電體收容于所述收容腔,所述第二導(dǎo)電體位于所述塞件的上方。?
????進一步,所述第二導(dǎo)電體為片狀或球狀或倒“T”狀。?
????進一步,當所述第一電子元件下壓時,所述塞件可對所述第二導(dǎo)電體產(chǎn)生一個朝上的反作用力。?
????進一步,當所述第一電子元件下壓時,所述塞件可對第二導(dǎo)電體同時產(chǎn)生一個朝上的反作用力以及一個朝向所述收容孔內(nèi)壁的的反作用力。?
????進一步,所述第二導(dǎo)電體的表面設(shè)有可與所述鎵或鎵合金相容的材質(zhì)。?
????進一步,所述材質(zhì)為錫。?
????進一步,所述絕緣本體的上表面設(shè)有彈性密封層。?
????進一步,所述焊接部位于所述收容孔的下方。?
????進一步,所述收容孔于所述絕緣本體的下側(cè)形成一限縮孔。?
????進一步,所述焊接部位于所述絕緣本體的下表面。?
????本實用新型還提供一種電連接器,用于電性連接一第一電子元件至一第二電子元件,包括設(shè)有多個收容孔的一絕緣本體,每一所述收容孔內(nèi)設(shè)有一導(dǎo)電組件,其中所述導(dǎo)電組件包括一第一導(dǎo)電體與一第二導(dǎo)電體,所述第一導(dǎo)電體至少部分為設(shè)于所述收容孔內(nèi)壁的導(dǎo)電層,所述收容孔內(nèi)設(shè)有一塞件,并于所述塞件的上方形成一收容腔,所述第一導(dǎo)電體一端形成焊接部,所述第二導(dǎo)電體收容于所述收容腔,并可電性連接所述第一電子元件與所述第一導(dǎo)電體。?
????進一步,所述塞件為彈性體。?
????進一步,當所述第一電子元件下壓時,所述塞件可對所述第二導(dǎo)電體產(chǎn)生一個朝上的反作用力。?
????進一步,當所述第一電子元件下壓時,所述塞件可對所述第二導(dǎo)電體同時產(chǎn)生一個朝上的反作用力以及一個朝向所述收容孔內(nèi)壁的的反作用力。?
????進一步,所述塞件設(shè)有一個可抵持所述第二導(dǎo)電體的斜面。?
????進一步,所述絕緣本體的下表面設(shè)有環(huán)繞所述收容孔的溝槽。?
????進一步,所述收容孔設(shè)有一抵持部。?
????進一步,所述第二導(dǎo)電體為片狀或球狀或倒“T”狀。?
????進一步,所述導(dǎo)電組件還包括一液態(tài)金屬導(dǎo)電體,所述液態(tài)金屬導(dǎo)電體收容于所述收容腔,所述液態(tài)金屬導(dǎo)電體位于所述塞件的上表面。?
????進一步,所述液態(tài)金屬導(dǎo)電體為鎵或鎵合金。?
????進一步,所述第二導(dǎo)電體的表面設(shè)有可與所述鎵或鎵合金相容的材質(zhì)。?
????進一步,所述材質(zhì)為錫。?
????進一步,所述絕緣本體的上表面設(shè)有彈性密封層。?
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